半导体晶片的制造方法技术

在具有平坦支撑表面的支撑基板（１０）的支撑表面上支撑半导体晶片Ｗ的表面，使支撑基板（１０）与半导体晶片Ｗ成为一体，利用减薄装置，对与支撑基板（１０）成为一体的半导体晶片Ｗ的背面进行抛光和蚀刻，之后利用膜形成装置（４０），在与支撑基板（１０）成为一体的半导体晶片Ｗ的背面上形成薄膜。由于半导体晶片Ｗ与支撑基板（１０）成为一体，即使１００μｍ或更薄的半导体晶片也不会翘曲，由此就能均匀地形成薄膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在背面上形成薄膜的。
技术介绍
近年来，随着半导体芯片的薄型化，上下层叠半导体芯片以便力图提高功能、处理能力、存储容量等的层叠芯片正实用化，由此就能够使便携式电话机、笔记本型电脑等薄型化、小型化、轻量化。在层叠芯片的制造中，在半导体晶片阶段，从形成有电路的表面直至背面埋设电极，在通过进行背面的机械研磨或化学蚀刻使电极露出的同时，为了防止构成电极的铜等金属扩散到硅等的半导体内部，就在半导体晶片的背面上形成了SiO2膜等绝缘膜。此外，还提供一种实用技术，在半导体晶片的表面上形成功率晶体管等电路之后，研磨或蚀刻半导体晶片的背面，在其背面上形成几十纳米厚的Ti、Ag、Au等金属膜，以构成半导体晶片。像这样通过对表面上形成有电路的半导体晶片的背面进行研磨等使之减薄之后，在背面上形成薄膜的情况下，为了使半导体晶片的热性能和电性能良好，就必须非常薄地形成半导体晶片。但是，会存在如下问题，即半导体晶片的厚度为例如100μm-15μm左右时，半导体晶片就会发生翘曲，在形成膜时产生障碍、不能均匀地形成薄膜。特别是，如果在膜的形成中使用具备在减压环境下形成膜的膜形成部件的减压成膜装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的制造方法，用于在表面上形成有电路的半导体晶片的背面上形成薄膜，其中至少包括以下工序：一体化工序，在具有平坦支撑面的支撑基板的该支撑面上支撑半导体晶片表面，使该支撑基板与该半导体晶片成为一体；减薄工序，利用对半 导体晶片进行减薄加工的减薄装置，均匀地去除与该支撑基板成为一体的半导体晶片的背面，从而减薄半导体晶片；以及膜形成工序，利用膜形成装置在与支撑基板成为一体的半导体晶片的背面上形成薄膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-8-21 240578/20021.一种半导体晶片的制造方法，用于在表面上形成有电路的半导体晶片的背面上形成薄膜，其中至少包括以下工序一体化工序，在具有平坦支撑面的支撑基板的该支撑面上支撑半导体晶片表面，使该支撑基板与该半导体晶片成为一体；减薄工序，利用对半导体晶片进行减薄加工的减薄装置，均匀地去除与该支撑基板成为一体的半导体晶片的背面，从而减薄半导体晶片；以及膜形成工序，利用膜形成装置在与支撑基板成为一体的半导体晶片的背面上形成薄膜。2.根据权利要求1中所述的半导体晶片的制造方法，其中，减薄装置具有保持半导体晶片的吸盘台面，以及对由该吸盘台面保持的半导体晶片施加作用的减薄部件，在该吸盘台面上保持与半导体晶片成为一体的支撑基板，使上述减薄部件对该半导体晶片的背面加工作用，以执行减薄工序。3.根据权利要求1中...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井一尚，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]