硅半导体基板及其制造方法技术

本发明专利技术是用来制造｛１１０｝面的载流子移动度，特别是作为ｎ型ＦＥＴ的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的ＲＣＡ洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明专利技术是以｛１１０｝面或以｛１１０｝面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着〈１１０〉方向的原子级的阶梯。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是涉及一种被使用在半导体集成电路元件的制造中的单晶。
技术介绍
针对于利用单结晶硅晶片所制造出来的MIS·FET(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)的栅绝缘膜要求具备低漏电流特性、低界面能级密度、对于离子注入的高耐性等的高性能电气特性与高可靠性。而能满足该些要求的栅绝缘膜形成技术的主流则是一利用热氧化法的二氧化硅膜(也包括只称为氧化膜的情形)的形成技术，亦即，所谓的MOS·FET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)，而可以由该热氧化法而得到良好的氧化膜硅界面特性、氧化膜耐压特性、漏电流特性者则是将以{100}作为主面的硅晶片作为基板的情形。而以其他以外的{110}或{111}方位作为主面的硅晶片的所以不用作集成电路元件的基板的主要的理由是因为在{110}面以及{111}面所形成的氧化膜的界面能级密度高的原因。当界面能级密度愈高时，则氧化膜的耐压特性以及漏电流特性等的电气特性会愈恶化。因此，在形成有MOS·FET的硅晶片基板中，到目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅半导体基板，其特征在于：是以｛１１０｝面或以｛１１０｝面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着〈１１０〉方向的原子级的阶梯。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-2-7 030642/20031.一种硅半导体基板，其特征在于是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着<110>方向的原子级的阶梯。2.如权利要求1项的硅半导体基板，其特征在于使上述{110}面倾斜后的面是使{110}面朝<100>方向倾斜的面。3.如权利要求2项的硅半导体基板，其特征在于由外延成长法在将上述{110}面朝<100>方向倾斜的面作为主面的硅半导体基板的表面形成的单结晶薄膜。4.如权利要求2项的硅半导体基板，其特征在于将上述{110}面朝<100>方向倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在氢气、氩气、氢气和氩气的混合气体气氛中实施热处理。5.一种硅半导体基板，其特征在于是一种将{110}面朝<100>方向倾...

【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，山中秀记，出水清史，寺本章伸，须川成利，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，大见忠弘，
类型：发明
国别省市：JP[日本]