半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，具备：包括使用了宽能带隙半导体的功率半导体元件的半导体芯片（６１）、基材（６２、６３）、第１、第２中间构件（６５、６８ａ）、热传导构件（６６）和散热片（６７）、半导体芯片（６１）、将第１、第２中间构件（６５、６８ａ）及热传导构件（６６）密封的密封材（６８）。基材（６２、６３）的各头端部成为外部连接端子（６２ａ、６３ａ）。第２中间构件（６８ａ）由热传导率比第１中间构件（６５）更低的材料构成，在与半导体芯片（６１）的接触面积方面，第２中间构件（６８ａ）的一方大于第１中间构件（６５）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用化合物半导体层形成的MISFET，特别涉及高耐压、适用于大电流的MISFET。
技术介绍
一直以来，在将包括功率元件的多个半导体芯片组装而成的功率模块中，使因功率元件的电力损失而产生的半导体元件的发热的发散是重要的课题(例如，参照文献1(功率电子学手册(R&D计划编制)，主编今井孝二(602页))。所以，在以往的半导体装置中，为了将功率元件冷却而保持在安全动作温度以下，使功率元件与封盒基材接触，按照使在功率元件中产生的热因热传导而经过封盒基材被放出的方式来设计。所以，在使用多个半导体芯片构成功率模块的情况下，如上所述，需要使各半导体设备与封盒基材接触。图11是表示将3个Si功率设备组装而成的以往的半导体功率模块的构造的剖面图。如同图所示，以往的半导体功率模块具备在背面附设了用于热量释放的散热片101a的基材101、被利用焊锡固定于基材101的上面的3个作为Si功率设备的Si芯片102、103、104、将各Si芯片102、103、104之间电连接的接合线105。利用该构造，由于可以将各Si芯片102、103、104中产生的热利用热传导有效地向基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征是，具备：　　　　包括使用宽能带隙半导体而构成的功率半导体元件的半导体芯片、　　　　与所述半导体芯片的表面的一部分连接的由导电性材料制成的基材、　　　　与所述半导体芯片的表面的一部分接触的热传导构件、　　　　将所述半导体芯片及热传导构件密封的密封材，　　　　所述基材的一部分向所述密封材的外方突出而成为的外部连接端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-4 313111/20031.一种半导体装置，其特征是，具备包括使用宽能带隙半导体而构成的功率半导体元件的半导体芯片、与所述半导体芯片的表面的一部分连接的由导电性材料制成的基材、与所述半导体芯片的表面的一部分接触的热传导构件、将所述半导体芯片及热传导构件密封的密封材，所述基材的一部分向所述密封材的外方突出而成为的外部连接端子。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是，所述功率半导体元件具有流过50A/cm2以上的电流密度的电流的区域。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是，所述密封材由树脂或玻璃构成，所述热传导构件从所述密封材中露出。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征是，还具备与所述热传导构件接触并从所述密封材向外方突出地设置的散热片。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是，还具备覆盖所述密封材的覆盖膜。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征是，还具备以夹隔所述覆盖膜而与所述热传导构件相面对地设置的散热片。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的半导体装置，其特征是，在所述基材和半导体芯片之间，夹隔有由导电性材料制成的第1中间构件、由与该第1中间构件相比热传导率更小的材料构成的第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：北畠真，楠本修，内田正雄，高桥邦方，山下贤哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]