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本发明提供一种半导体装置，具备：包括使用了宽能带隙半导体的功率半导体元件的半导体芯片（６１）、基材（６２、６３）、第１、第２中间构件（６５、６８ａ）、热传导构件（６６）和散热片（６７）、半导体芯片（６１）、将第１、第２中间构件（６５、６８ａ...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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