【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
专利文献l:特开平2-260671号公报 专利文献2:特开平9-27498号公报 专利文献3:特开2003-142731号公报非专利文献l: 「高可靠性Sn-Ag系无铅焊料的开发」丰田中央研 究所R&D review Vol.35 No.2(2000) 39页以化合物半导体构成的发光元件，虽然长期以来采用以位在光取出 面侧的主表面为第一主表面、与此相反侧的主表面为第二主表面，使用 银浆将组件芯片背面的第二主表面恻的电极黏着在金属台的构造(专利 文献1)，但为了谋求芯片安装步骤的效率化，亦在研究是否改变为类似 于所谓覆晶法、使用熔焊料的安装步骤(专利文献2)。在电子组件的构装 步骤中提到「焊料」时，通常是指Pb-Sn系焊料，特别是由低熔点的 Pb-38质量7。Sn合金构成的共晶焊料一直被广泛地使用着(熔点 183°C)。但是，近年来，由于环境污染的问题，使用不含Pb(或所 谓的Pb含有量少于上述共晶焊料)的低Pb焊料来代替长久以来的 Sn-Pb共晶悍料的要求越来越高。作为替代周知的Pb系焊料的低Pb焊料，在过去，虽持续研究以S...
【技术保护点】
一种发光元件，其是以位于具有发光层部的化合物半导体层的、光取出面侧的主表面为第一主表面、以和第一主表面相反侧的主表面为第二主表面，在该化合物半导体层的第一主表面、第二主表面分别形成第一电极、第二电极，通过该第二电极来和作为组件安装对象的通电支持体形成导通连接，其特征在于：该第二电极，具备接合合金化层与焊料层；该接合合金化层，与该化合物半导体层的第二主表面接触设置，同时用以降低与该化合物半导体层的接合阻抗；该焊料层，用于将该接合合金化层连接于该通电支持体 ，由设置在该接合合金化层侧、以Ｓｎ为主成分且熔点低于该接合合金化层的Ｓｎ系金...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-1-31 023988/20051.一种发光元件，其是以位于具有发光层部的化合物半导体层的、光取出面侧的主表面为第一主表面、以和第一主表面相反侧的主表面为第二主表面，在该化合物半导体层的第一主表面、第二主表面分别形成第一电极、第二电极，通过该第二电极来和作为组件安装对象的通电支持体形成导通连接，其特征在于该第二电极，具备接合合金化层与焊料层；该接合合金化层，与该化合物半导体层的第二主表面接触设置，同时用以降低与该化合物半导体层的接合阻抗；该焊料层，用于将该接合合金化层连接于该通电支持体，由设置在该接合合金化层侧、以Sn为主成分且熔点低于该接合合金化层的Sn系金属构成的Sn系焊料层，以及位于相对该Sn系焊料层的该接合合金化层的相反侧、并与Sn系焊料层接触设置的Au-Sn系焊料层所构成，其中该Au-Sn系焊料层含有30质量％～90质量％的Au、与10质量％～70质量％的Sn，Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量％，且熔点高于该Sn系焊料层。2. 根据权利要求l所述的发光元件，其特征在于，该Sn系焊料层的 Sn含有量大于或等于75质量％ 。3. 根据权利要求1或2所述的的发光元件，其特征在于，该Au-Sn 系焊料层是以Au为主成分，且Sn含有量在15质量％ 35质量％。4. 根据权利要求1~3的任意一项所述的发光元件，其特征在于，该 Au-Sn系焊料层的厚度大于该Sn系焊料层的厚度。5. 根据权利要求1~4的任意一项所述的发光元件，其特征在于，在 该化合物半导体层的第二主表面，分散形成有该第二电极。6. 根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，在该化合物半导体层的该第二主表面，以图案化成预定形状的方式分散形成该第二电极， 且于该第二电极，该焊料层按照使周侧面位置与该接合合金化层一致的形态来形成。7. 根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，该焊料层的周侧面， 形成为以其和该接合合金化层的接合界面的外周缘为断裂起点的层厚方 向的机械断裂面。8. 根据权利要求1~7的任意一项所述的发光元件，其特征在于，在 该第二电极上该接合合金化层与该焊料层...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田均，小原正义，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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