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形成在发光元件１的化合物半导体层１００第二主表面的第二电极１６，具备接合合金化层３１与焊料层３４，该接合合金化层３１与化合物半导体层１００的第二主表面接触设置，同时用于降低与该化合物半导体层１００的接合阻抗，该焊料层３４用于将该接合金属层连...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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