本发明是一种量子计算机用半导体装置的制造方法，量子计算机用半导体装置具备：半导体基板、在所述半导体基板上形成的量子计算机用元件、以及在所述半导体基板上形成且连接于所述量子计算机用元件的周边电路，量子计算机用半导体装置作为量子计算机使用，...

本发明是一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板，其特征在于，包含以下工序：准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板；在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述...

本发明涉及一种单面抛光装置，其具有：具有真空吸附用的沟槽的底部平台；通过真空吸附固定的可拆装的抛光平台；抛光垫；及保持晶圆的抛光头，使保持于抛光头的晶圆的表面与抛光垫滑动接触而进行抛光，所述单面抛光装置中，抛光垫通过依次层叠抛光晶圆的表...

提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构...

本发明涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备由清洗而形成的化学氧化膜的构成各不相同的多个半导体基板，在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的...

本发明是一种基板晶圆的制造方法，包含如下步骤：准备具有第一主面及第二主面的晶圆；在第二主面上形成平坦化树脂层；将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对第一主面进行研削或研磨；从晶圆去除平坦化树脂层；将经第一加工的...

本发明是一种晶圆的外周变形的评价方法，该晶圆是在表面形成有多晶膜的晶圆，使用在单晶硅基板的表面形成有多晶膜的晶圆作为所述在表面形成有多晶膜的晶圆，进行去除所述多晶膜的表面的前处理，然后，使红外激光从所述晶圆的外周的背面入射，根据透过所述...

【技术问题】提供一种单晶提拉装置，其能够以简单的方法防止向隔热部件飞散而附着的热液飞溅下落到原料熔液表面。【解决方案】一种单晶提拉装置，其利用切克劳斯基法，其特征在于，具有与原料熔液表面对置的隔热部件，该隔热部件的与所述原料熔液表面对置...

本发明是一种硅晶圆的蚀刻方法，其包含旋转蚀刻工序，所述旋转蚀刻工序一边通过供给喷嘴对硅晶圆的表面或背面供给酸蚀刻液，一边使所述硅晶圆旋转，从而使所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆的表面或背面的整面以进行酸蚀刻，在开始硅晶圆的旋转之前...

本发明是一种SOI晶圆的制造方法，其具有通过湿蚀刻进行SOI晶圆的SOI层的膜厚调整的工序，其特征在于，在进行SOI层的膜厚调整的工序中，组合以下两个步骤来进行：第1蚀刻步骤，使用SC1溶液进行SOI层的表面的蚀刻；以及第2蚀刻步骤，通...

本发明为一种半导体基板的热氧化膜形成方法，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个化学氧化膜的构成不同半导体基板，在相同的热氧化处理条件下形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；基板清洗工序，其中，...

本发明是一种半导体基板的干式蚀刻方法，其为具有氧化膜的半导体基板的干式蚀刻方法，其中，预先评价所述氧化膜的膜质，并基于该评价的结果确定进行所述干式蚀刻的时间。由此，提供以下的方法：在对半导体基板表面的氧化膜进行干式蚀刻时，可不受氧化膜的...

本发明是一种双面研磨装置用载具的制造方法，所述双面研磨装置用载具在具备粘贴有研磨布的上平台及下平台的双面研磨装置中使用，且具有：载具母材，其形成有用于保持晶圆的保持孔；以及树脂嵌入物，其沿着所述保持孔的内周面配置，且形成有与所述晶圆的外...

本发明是一种硅晶圆的蚀刻方法，包括：旋转蚀刻工序，通过供给喷嘴向硅晶圆的正面或背面、或两面供给酸蚀刻液，使所述硅晶圆旋转，将所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆整面而进行酸蚀刻，其特征在于，在所述旋转蚀刻工序中，将所述硅晶圆的中心轴从...

本发明是一种双面研磨装置的研磨垫粘贴方法，将下平台用研磨垫粘贴在下平台上后，以通过下平台的半径方向的中心部的方式将环状临时黏贴用板载置在研磨垫上，在临时黏贴用板上将上平台用研磨垫的粘贴面与上平台相对配置，对双面研磨机施加载荷，用上下平台...

本发明是一种晶圆的平面研磨方法，在该方法中，准备具有第1主面及第1主面相反侧的第2主面，且包含位于第1主面与第2主面之间的边缘部的晶圆，将脱模剂涂布在晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成脱模剂层，在脱模剂层上形成将第2主面及边缘部全部覆...

本发明涉及一种双面研磨方法，在具有平台中心的旋转平台的上平台与下平台之间设置多片载体，使多片载体分别保持1片以上的晶圆，一边以压送方式供给浆料一边研磨晶圆的双面，其特征在于，使保持于多片载体的晶圆的配置为：从多片载体中选择基准载体，以平...

本发明是一种半导体晶圆的清洗方法，其清洗研磨后的半导体晶圆，进行利用臭氧水清洗所述研磨后的半导体晶圆而形成氧化膜的第一臭氧水处理工序，在该第一臭氧水处理工序后，进行利用碳酸水对所述半导体晶圆进行刷清洗的刷清洗工序，之后，进行1次以上的第...

本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5

本发明是一种晶圆的研磨方法，其一边连续供给包含水的研磨用组合物，一边将晶圆压抵于研磨布而进行修正研磨，以修正进行过研磨的研磨晶圆的形状，其特征在于，包含以下工序：测量进行所述修正研磨前的所述研磨晶圆的形状；根据该测量出的研磨晶圆的形状，...