晶圆外周变形的评价方法技术

本发明专利技术是一种晶圆的外周变形的评价方法，该晶圆是在表面形成有多晶膜的晶圆，使用在单晶硅基板的表面形成有多晶膜的晶圆作为所述在表面形成有多晶膜的晶圆，进行去除所述多晶膜的表面的前处理，然后，使红外激光从所述晶圆的外周的背面入射，根据透过所述晶圆后的所述红外激光的偏振度评价所述晶圆的外周变形。由此，提供一种高精度地评价在表面形成有多晶膜的晶圆的外周变形的方法。膜的晶圆的外周变形的方法。膜的晶圆的外周变形的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆外周变形的评价方法


[0001]本专利技术涉及一种晶圆外周变形的评价方法。

技术介绍

[0002]一般而言，在使用单片式外延晶圆制造装置在研磨后的晶圆上生长外延层的情况下，会由于施加在晶圆与基座的接触部的热应力等而使晶圆外周部发生变形。作为该变形的评价方法，使用以下手法：从晶圆的背面使红外激光入射，而由透射过晶圆后的偏振度来检测变形(专利文献1)。在该评价中，由于在晶圆有变形的情况下入射光的偏振度会变大，因此能根据其偏振度检测变形。至今，当在外延晶圆进行该测量时，直接对生长有外延层的晶圆进行测量。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本特开2012
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019216号公报

技术实现思路

(一)要解决的技术问题
[0004]另一方面，由于在生长有多晶膜(Poly膜)的晶圆中也是使用单片式外延晶圆制造装置来进行生长，因此在其生长过程中，会因为与外延晶圆同样的原理，而在晶圆的外周部发生变形。在该生长有多晶膜的晶圆的变形评价中也是使用与外延晶圆同样的评价方法，但是，形成有多晶膜的晶圆由于多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶圆的外周变形的评价方法，所述晶圆是在表面形成有多晶膜的晶圆，其特征在于，使用在单晶硅基板的表面形成有多晶膜的晶圆作为所述在表面形成有多晶膜的晶圆，进行去除所述多晶膜的表面的前处理，然后，使红外激光从所述晶圆的外周的背面入射，根据透过所述晶圆后的所述红外激光的偏振度评价所述晶圆的外周变形。2.根据权利要求1所述的晶圆的外周变形的评价方法，其特征在于，通过研磨和/或蚀刻进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：安藤裕士，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：