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本发明是一种晶圆的外周变形的评价方法，该晶圆是在表面形成有多晶膜的晶圆，使用在单晶硅基板的表面形成有多晶膜的晶圆作为所述在表面形成有多晶膜的晶圆，进行去除所述多晶膜的表面的前处理，然后，使红外激光从所述晶圆的外周的背面入射，根据透过所述晶圆...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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