基板晶圆的制造方法及基板晶圆技术

本发明专利技术是一种基板晶圆的制造方法，包含如下步骤：准备具有第一主面及第二主面的晶圆；在第二主面上形成平坦化树脂层；将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对第一主面进行研削或研磨；从晶圆去除平坦化树脂层；将经第一加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对第二主面进行研削或研磨；将经第二加工的第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对第一主面进一步进行研削或研磨；以及将经第三加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在第一加工和/或第三加工中，以使晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。由此，能够提供一种可制造具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板晶圆的制造方法及基板晶圆


[0001]本专利技术涉及一种基板晶圆的制造方法及基板晶圆。

技术介绍

[0002]当在基板晶圆上使外延(Epitaxy)层生长时，有因晶格不匹配而产生翘曲的情况。作为对策，有通过基板晶圆的研削或研磨加工来制作具有与外延层引起的翘曲方向相反的翘曲的基板晶圆的方法等(专利文献1)。
[0003]此外，在SOI等贴合基板上具有下述问题：因热膨胀系数的差而在氧化膜与硅侧之间产生应力，如果仅将单侧的氧化膜去除则产生翘曲。
[0004]另一方面，被称为纳米形貌的、波长比翘曲或Warp短的起伏成为问题(专利文献2)。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008
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140856号公报专利文献2：日本特开2017
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098446号公报专利文献3：日本特开2006
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269761号公报专利文献4：日本特开2009
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148866号公报

技术实现思路

(一)要解决的技术问题
[0006]此处，参考图5说明现有的一例的基板晶圆的制造方法。
[0007]在图5所示的制造方法中，首先，准备(C
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1)所示的作为加工对象的晶圆10。晶圆10具有第一主面1、及与第一主面1为相反侧的第二主面2。接着，如(C
‑
2)所示，将晶圆10的第二主面2吸附保持于卡盘台60。由于该吸附，晶圆10发生弹性变形，因此第二主面2成为也发生弹性变形的第二主面2s。
[0008]接着，如(C
‑
2)所示，对晶圆10的第一主面1利用研削磨轮50进行研削或研磨。此时，如(C
‑
2)所示，通过调整卡盘台60的轴角度而调整第一主面1的相对于研削磨轮50的角度，以使晶圆10成为具有与要通过该方法得到的期望的Warp的值对应的中凹状的厚度分布(中凹TTV)的晶圆15。通过该加工，可获得具有经加工的第一主面1s的晶圆15。
[0009]接着，释放卡盘台60所进行的吸附。由此，可获得(C
‑
3)所示的具有释放后的第一主面1t及释放后的第二主面2t的晶圆15。
[0010]接着，如(C
‑
4)所示，以使释放后的第二主面2t朝上的方式将获得的晶圆15翻转，将该晶圆15的第一主面1t吸附保持于卡盘台60。由于该吸附，晶圆15发生弹性变形。此时，(C
‑
4)中以点线显示的经加工的第一主面1t也发生弹性变形，成为跟随卡盘台60的表面的第一主面1u。另一方面，(C
‑
4)中以点线显示的第二主面2t发生弹性变形，成为具有与释放后第一主面1t的外形对应的外形的第二主面2u。
[0011]接着，如(C
‑
5)所示，在该状态下，对(C
‑
5)中以点线显示的晶圆15的第二主面2u利用研削磨轮50进行研削或研磨。由此，可获得具有经加工的第二主面2v的晶圆16。
[0012]最后，将获得的晶圆16从卡盘台60释放。由此，可获得如(C
‑
6)所示的具有中凹状的第一主面1v及中凸状的第二主面2x的具有翘曲的基板晶圆16。
[0013]如果利用这样的方法，则可获得具有期望的Warp值的基板晶圆16。然而，由这样的方法获得的基板晶圆16有纳米形貌的值较大的问题。
[0014]作为纳米形貌的对策，例如，在专利文献2中记载一种晶圆的研磨方法，为了抑制纳米形貌的影响，对每个压力区给予适当的研磨压力，而测量晶圆表面的纳米形貌图，根据该测量结果，对每个压力区设定研磨头对晶圆的研磨压力，而实施研磨加工。此外，为了改善基板晶圆的纳米形貌，有在晶圆的单面覆盖树脂而进行研削的方法等。例如，在专利文献3中记载一种晶圆的制造方法，在切割后的晶圆的单(背)面将固化性材料涂布40～300μm厚，保持固化后涂布面，研削相反侧(正)面，从而去除起伏而制造厚度均一的晶圆。此外，在专利文献4中记载一种树脂覆盖方法与装置，在专利文献3所记载的方法中，作为固化性材料，将紫外线固化树脂涂布10～200μm厚。
[0015]然而，在这些方法中，无法获得具有期望的Warp值、即具有期望的翘曲的基板晶圆。
[0016]这样，对于外延生长用或贴合用的基板晶圆，要求具有翘曲且纳米形貌良好，但没有满足两者的晶圆及其制造方法。
[0017]为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种可制造具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆的基板晶圆的制造方法、及具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆。(二)技术方案
[0018]为了解决上述问题，在本专利技术中，提供一种基板晶圆的制造方法，其特征在于，包含如下步骤：准备具有第一主面、及与所述第一主面为相反侧的第二主面的晶圆；在所述晶圆的所述第二主面上形成平坦化树脂层；将所述平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对所述晶圆的所述第一主面进行研削或研磨；从所述晶圆去除所述平坦化树脂层；将所述晶圆的所述经第一加工的所述第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对所述晶圆的所述第二主面进行研削或研磨；将所述晶圆的所述经第二加工的所述第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对所述晶圆的所述第一主面进一步进行研削或研磨；以及将所述晶圆的所述经第三加工的所述第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对所述晶圆的所述第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在所述第一加工和/或所述第三加工中，以使所述晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。
[0019]根据本专利技术的基板晶圆的制造方法，在将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持的状态下进行对于晶圆的第一主面的第一加工，接着，在利用经第一加工的第一主面进行吸附保持的状态下进行对于晶圆的第二主面的第二加工，接着，在利用经第二加工的第二主
面进行吸附保持的状态下进行对于晶圆的第一主面的第三加工，接着，在利用经第三加工的第一主面进行吸附保持的状态下进行对于晶圆的第二主面的第四加工，在第一加工和/或第三加工中以使晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工，从而可制造Warp值大、即具有翘曲，且纳米形貌小、即纳米形貌良好的基板晶圆。此外，能够通过该制造方法制造的基板晶圆具有翘曲且纳米形貌良好，因此可作为外延生长用或贴合用的基板使用。
[0020]优选地，以使通过所述第一加工得到的所述晶圆的厚度分布α[μm]为通过所述第四加工得到的所述基板晶圆的Warp值w[μm]的50％以下的方式进行所述第一加工。
[0021]通过这样进行第一加工，可使第一加工的晶圆厚度调整量比第三加工的晶圆厚度调整量更小，其结果为，可制造纳米形貌更小的基板晶圆。
[0022]优选地，以使所述平坦化树脂层的厚度偏差为所述基板晶圆的所述Warp值w[μm]的25％以下的方式形成所述平坦化树脂层。
[0023]通过这样形成平坦化树脂层，可使平坦化树脂层的厚度偏差对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板晶圆的制造方法，其特征在于，包含如下步骤：准备具有第一主面、及与所述第一主面为相反侧的第二主面的晶圆；在所述晶圆的所述第二主面上形成平坦化树脂层；将所述平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对所述晶圆的所述第一主面进行研削或研磨；从所述晶圆去除所述平坦化树脂层；将所述晶圆的所述经第一加工的所述第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对所述晶圆的所述第二主面进行研削或研磨；将所述晶圆的所述经第二加工的所述第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对所述晶圆的所述第一主面进一步进行研削或研磨；以及将所述晶圆的所述经第三加工的所述第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对所述晶圆的所述第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在所述第一加工和/或所述第三加工中，以使所述晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。2.根据权利要求1所述的基板晶圆的制造方法，其特征在于，以使通过所述第一加工得到的所述晶圆的厚度分布α[μm]为通过所述第四加工得到的所述基板晶圆的Warp值w[μm]的50％以下的方式进行所述第一加工。3.根据权利要求2所述的基板晶圆的制造方法，其特征在于，以使所述平坦化树脂层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：多贺稜，田中佑宜，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：