一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法技术

本发明专利技术提供一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，包括以下步骤：S1将旋转芯片进行定位；S2将定位后的旋转芯片按照芯片倾斜的角度通过粘接剂粘贴于一次性模具内壁上；S3配置镶样粘接剂，将镶样粘接剂倒入倾斜的一次性模具内进行旋转芯片镶样固化得到样品；S4对样品依次进行打磨、抛光和清洁得到旋转芯片焊点局部横切面；S5对旋转芯片焊点局部横切面位置截面进行拍照确认质量，如果不符合质量要求循环步骤S1

【技术实现步骤摘要】
一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体元器件局部横切面
，具体涉及一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法。

技术介绍

[0002]芯片产品在封装的过程中，根据设计需求上芯时，芯片边角与框架之间有一定的夹角，非平行状态，WB后需要检查焊点质量，将芯片倾斜粘接在废的产品或者垂直镶在磨具内，导致切片过程中无法定位，产品切斜、切过的现象经常出现，且只能手动单颗抛光，耗时较长；
[0003]在SEM拍照确认过程中需将产品水平固定在基座上，因产品倾斜较难固定，容易出现倾倒现象；样品之间间距过大，导致导电性较差，影响产品拍摄时效和质量。
[0004]现有旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，存在以下问题：
[0005]1)芯片上芯位置不规则，芯片与框架有一定的夹角，常规镶样，不易定位，且磨具切斜，不易抛光；
[0006]2)磨具倾斜，产品SEM拍摄确认样品时，产品倾斜较难固定，容易出现倾倒现象，影响产品拍摄时效；
[0007]因此，如何避免旋转芯片焊点不易定位和不易抛光的方法是目前亟待需要解决的问题。

技术实现思路

[0008]为了解决上述技术问题，本专利技术提供的一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，其操作简单，解决了磨具切斜时旋转芯片焊点不易定位和不易抛光的技术问题，提升旋转芯片焊点局部横切面切片的质量，导电性能得到了提高，同时保证了产品拍摄时效。
[0009]为了达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0010]本专利技术提供一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，包括以下步骤：
[0011]S1将旋转芯片进行定位；
[0012]S2将定位后的旋转芯片按照旋转芯片的倾斜角度通过粘接剂粘贴于一次性模具内壁上；
[0013]S3配置镶样粘接剂，将镶样粘接剂倒入倾斜的一次性模具内进行旋转芯片镶样固化得到样品；
[0014]S4对样品依次进行打磨、抛光和清洁得到旋转芯片焊点局部横切面；
[0015]S5对旋转芯片焊点局部横切面位置截面进行拍照确认质量，如果不符合质量要求循环步骤S1
‑
S5直到旋转芯片焊点局部横切面位置截面进行拍照确认质量符合要求。
[0016]本专利技术提供的一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，其操作简单，解决了磨具切斜时旋转芯片焊点不易定位和不易抛光的技术问题，提升旋转芯片焊点局部横切面切片的质量，导电性能得到了提高，同时保证了产品拍摄时效。
[0017]作为优选技术方案，步骤S2中粘接剂为丙烯酸系胶或CH2＝C(CN)
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COO
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C2H5中的任一种。
[0018]作为优选技术方案，步骤S3中的镶样粘接剂包括：环氧树脂和固化剂，以环氧树脂：固化剂重量比为1.4:1混合粉液配制成镶样粘接剂。
[0019]作为优选技术方案，步骤S4中对样品进行打磨包括以下步骤：先使用P400目数砂粒的纱纸粗磨至离拍照确认观察点5um～10um处，再使用P2000目数砂粒的纱纸将样品细磨至拍照确认观察点边缘处，最后使用P4000纱纸细磨至拍照确认观察点处。
[0020]作为优选技术方案，步骤S4中对打磨后的样品进行抛光，包括以下步骤：使用0.05um Al2O3抛光液进行自动抛光3min～5min做镜面处理，抛光时的力为9～11N。
[0021]作为优选技术方案，步骤S4中对抛光后的样品进行清洁包括以下步骤：对抛光后的样品进行多次超声波清洗，清洗完成后吹去清洁后的样品表面水渍和异物，将产品切面在抛光垫上擦拭后放在低倍显微镜或高倍显微镜下观察是否清理干净，清洁干净后得到旋转芯片焊点局部横切面。
[0022]作为优选技术方案，当旋转芯片产品为3*3mm以上尺寸时，步骤S1将旋转芯片进行定位，包括以下步骤：对要研磨的旋转芯片边缘位置延长线延长至管脚两侧，根据两侧管脚与延长线相交位置进行定位，确定旋转芯片的倾斜角度。
[0023]作为优选技术方案，当旋转芯片产品为3*3mm以下尺寸时，步骤S1将旋转芯片进行定位，包括以下步骤：
[0024]S101沿着旋转芯片边缘做与旋转芯片边缘相平行的辅助线延长至框架；
[0025]S102使用胶水和液体塑封料垂直芯片上方进行点胶包封；
[0026]S103烘烤，进行剪裁，将框架上的辅助线保留；
[0027]S104对框架延长线角度进行定位，确定框旋转芯片的倾斜角度。
[0028]作为优选技术方案，步骤S103烘烤的温度为120～130℃；步骤S103烘烤的时间为25～35min。
附图说明
[0029]图1为本专利技术提供的3*3mm以上尺寸的旋转芯片产品焊点局部横切面的方法的流程图；
[0030]图2为本专利技术提供的3*3mm以下尺寸的旋转芯片产品焊点局部横切面的方法的流程图；
[0031]图3为本专利技术提供的旋转芯片焊点局部横切面的SEM图；
[0032]图4为图3提供的旋转芯片焊点局部横切面的SEM图的部分放大图。
具体实施方式
[0033]下面结合附图详细说明本专利技术的优选实施方式。
[0034]可以理解，本专利技术是通过一些实施例达到本专利技术的目的，本专利技术提供的旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，包括以下步骤：
[0035]S1将旋转芯片进行定位；
[0036]S2将定位后的旋转芯片按照旋转芯片的倾斜角度通过粘接剂粘贴于一次性模具
内壁上；
[0037]S3配置镶样粘接剂，将镶样粘接剂倒入倾斜的一次性模具内进行旋转芯片镶样固化得到样品；
[0038]S4对样品依次进行打磨、抛光和清洁得到旋转芯片焊点局部横切面；
[0039]S5对旋转芯片焊点局部横切面位置截面进行SEM拍照确认质量，如果不符合质量要求循环步骤S1
‑
S5直到旋转芯片焊点局部横切面位置截面进行拍照确认质量符合要求；
[0040]其中，步骤S2中粘接剂为丙烯酸系胶或CH2＝C(CN)
‑
COO
‑
C2H5中的任一种；
[0041]其中，步骤S3中的镶样粘接剂包括：环氧树脂和固化剂，在通风柜中以环氧树脂：固化剂重量比为1.4:1混合粉液倾斜15
°
～25
°
同一方向均速搅拌让环氧树脂与固化剂完全混合4～5min配制成镶样粘接剂；
[0042]其中，步骤S3中的进行旋转芯片镶样固化包括以下步骤：放置在45～55℃的加热板上完成固化；
[0043]其中，步骤S4中对样品进行打磨包括以下步骤：如样品开始研磨点与拍照确认观察点较远可先使用切割机进行切割，将样品切割至离拍照确认观察点较近的位置再进行研磨，先使用P400目数砂粒的纱纸粗磨至离拍照确认观察点5um～10um处，再使用P2000目数砂粒的纱纸将样品细磨至拍照确认观察点边缘处，最后使用P4000纱纸细磨至拍照确认观察点处；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1将旋转芯片进行定位；S2将定位后的旋转芯片按照旋转芯片的倾斜角度通过粘接剂粘贴于一次性模具内壁上；S3配置镶样粘接剂，将镶样粘接剂倒入倾斜的一次性模具内进行旋转芯片镶样固化得到样品；S4对样品依次进行打磨、抛光和清洁得到旋转芯片焊点局部横切面；S5对旋转芯片焊点局部横切面位置截面进行拍照确认质量，如果不符合质量要求循环步骤S1
‑
S5直到旋转芯片焊点局部横切面位置截面进行拍照确认质量符合要求。2.根据权利要求1所述的旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，其特征在于，步骤S2中粘接剂为丙烯酸系胶或CH2＝C(CN)
‑
COO
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C2H5中的任一种。3.根据权利要求1所述的旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，其特征在于，步骤S3中的镶样粘接剂包括：环氧树脂和固化剂，以环氧树脂：固化剂重量比为1.4:1混合粉液配制成镶样粘接剂。4.根据权利要求1所述的旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，其特征在于，步骤S4中对样品进行打磨包括以下步骤：先使用P400目数砂粒的纱纸粗磨至离拍照确认观察点5um～10um处，再使用P2000目数砂粒的纱纸将样品细磨至拍照确认观察点边缘处，最后使用P4000纱纸细磨至拍照确认观察点处。5.根据权利要求1所述的旋转芯片焊点局部横切面的制备方法，其特征在于，步骤S4中对打磨后...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊巍，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：