硅晶圆的蚀刻方法技术

本发明专利技术是一种硅晶圆的蚀刻方法，其包含旋转蚀刻工序，所述旋转蚀刻工序一边通过供给喷嘴对硅晶圆的表面或背面供给酸蚀刻液，一边使所述硅晶圆旋转，从而使所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆的表面或背面的整面以进行酸蚀刻，在开始硅晶圆的旋转之前，向从供给喷嘴供给的酸蚀刻液在供给喷嘴的正下方与所述硅晶圆的表面碰撞的碰撞喷流区域内滴加至少含有氢氟酸和硝酸的混合酸，用所述混合酸覆盖所述碰撞喷流区域后，开始所述硅晶圆的旋转，以进行所述旋转蚀刻工序。由此，可提供一种硅晶圆的蚀刻方法，其于旋转蚀刻方式的蚀刻中，可加快碰撞喷流区域中的蚀刻速度。可加快碰撞喷流区域中的蚀刻速度。可加快碰撞喷流区域中的蚀刻速度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅晶圆的蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及通过旋转蚀刻进行的硅晶圆的蚀刻方法。

技术介绍

[0002]在硅晶圆的制造工序中，从单晶锭的状态切成薄片的晶圆通常会经过倒角加工及研磨加工以进行平坦化。此时，在晶圆的表面背面会产生因上述加工所造成的大小不同的伤痕或加工变形，如果这些伤痕或变形在后工序中明显化，则可能会成为严重的质量问题。
[0003]因此，通常会进行蚀刻处理，以去除这些伤痕或加工变形。作为蚀刻方法，已知有同时处理多个晶圆的表面背面的批次方式、或以单片方式依次处理晶圆的表面及背面的旋转蚀刻方式(参考专利文献1)。另外，根据目的不同，有以酸蚀刻液进行处理的情况和以碱性蚀刻液进行处理的情况这2种手段，在例如酸蚀刻的情况下，通常使用含有适当调节了浓度的氢氟酸和硝酸等的混合酸。
[0004]在专利文献2中记载了一种半导体晶圆的蚀刻方法，其能同时达成用于使晶圆薄层化的均匀蚀刻和作为目的的均匀的粗面化，该方法将以氢氟酸和硝酸为主成分的蚀刻液供给至保持水平的硅晶圆上直至覆盖其上的整面，之后停止供给该蚀刻液，并在使该硅晶圆静置的状态下进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种硅晶圆的蚀刻方法，其包含旋转蚀刻工序，所述旋转蚀刻工序一边通过供给喷嘴对硅晶圆的表面或背面供给酸蚀刻液，一边使所述硅晶圆旋转，从而使所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆的表面或背面的整面以进行酸蚀刻，其特征在于，在开始所述硅晶圆的旋转之前，向从所述供给喷嘴供给的所述酸蚀刻液在所述供给喷嘴的正下方与所述硅晶圆的表面碰撞的碰撞喷流区域内滴加至少含有氢氟酸和硝酸的混合酸，用所述混合酸覆盖所述碰撞喷流区域后，开始所述硅晶圆的旋转，以进行所述旋转蚀刻工序。2.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻方法，其特征在于，所述碰撞喷流区域是具有所述供给...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西邦明，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：