本发明的单晶制造装置是利用切克劳斯基法培育单晶的单晶生长装置，具有：主腔室，容纳收容原料熔液的坩埚和加热原料熔液的加热器；提拉腔室，连接设置于该主腔室的上部，提拉并收容生长的单晶；以及冷却筒，以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部朝...

本发明涉及一种氮化物半导体基板，其具备成膜用基板与在该成膜用基板上成膜的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板包含结合有多个层的复合基板及形成在该复合基板上的单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氮化物半导体薄膜包含GaN层，所述Ga...

本发明涉及化合物半导体接合基板的制造方法，其包括下述工序：(1)使化合物半导体功能层在起始基板上外延生长的工序；(2)将支撑基板暂时接合于所述外延生长面，制成第一化合物半导体接合基板的工序；(3)将所述起始基板从所述第一化合物半导体接合...

本发明是利用线锯或带锯切断硅锭来制造具有主表面

本发明是一种晶圆的制造方法，包含以下工序：利用保持单元按压晶圆，使晶圆的第一主面接触树脂；一边在晶圆的第一主面上使树脂扩展，一边从保持单元对保持单元与第二主面之间进行空气喷射，由此在将由保持单元对晶圆的第二主面的保持释放的状态下，在晶圆...

本发明是一种半导体晶圆的制造方法，制造半导体晶圆，其特征在于，至少包含：倒角工序，磨削晶圆的周缘部，以形成包含晶圆边缘部及晶圆切口部的倒角部；双面研磨工序；镜面倒角工序进行研磨而镜面化；以及镜面研磨加工工序，镜面倒角工序包含：第一镜面倒...

本发明的第一方案为一种供于研磨工序后的晶圆的清洗方法，其特征在于，包含：在所述研磨工序后利用臭氧水对所述晶圆进行处理的臭氧水处理工序；与在所述臭氧水处理工序后使用氟树脂系刷毛刷洗所述晶圆的刷洗工序，所述刷洗工序包含：使用包含

本发明是一种硅晶圆的制造方法，其特征在于，包括：磨削工序，其对原料晶圆的表面

本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其包括：利用氢氟酸清洗硅晶圆的第一清洗工序；利用臭氧水清洗利用所述氢氟酸进行了清洗的所述硅晶圆的第二清洗工序；利用

本发明是一种晶圆的加工方法，其特征在于，使用

本发明是一种氮化物半导体晶圆的制造方法，所述氮化物半导体晶圆在单晶硅基板上形成氮化物半导体膜，该方法包括：在所述单晶硅基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；以及将1×

本发明提供一种紫外线发光元件用外延片的制造方法，其具有：准备至少一个表面由氮化镓构成的支撑基板的工序；在所述支撑基板的由所述氮化镓构成的所述表面形成接合层的工序；在所述接合层上贴合由Al

本发明的目的在于提供能够提高研磨(加工)速度的研磨用组合物及研磨方法。所述研磨用组合物的特征在于，其含有作为磨料颗粒的平均粒径为100nm以下的二氧化硅及阳离子表面活性剂，并且所述研磨用组合物的pH为9.0以上、且ZETA电位为

目的是获得几乎没有晶体缺陷的高品质且价廉的包含如AlN、Al

本发明是一种碳化硅单晶晶圆的结晶缺陷评价方法，通过熔融KOH对碳化硅单晶晶圆进行蚀刻，使得起因于贯通刃型位错的蚀刻坑的尺寸为10～50μm，对所述蚀刻后的所述碳化硅单晶晶圆表面的多处通过自动拍摄获得显微镜图像，对于所述获得的全部显微镜图...

本发明涉及一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其特征在于，通过SC1清洗、SC2清洗或臭氧水清洗在所述硅晶圆上形成氧化膜，利用氢氧化铵浓度为0.051质量％以下的氢氧化铵稀释水溶液、或包含氢氧化铵与过氧化氢水溶液的稀释水...

本发明是一种单晶提拉装置，具备具有中心轴的提拉炉以及具有线圈的磁场产生装置，对熔融半导体原料施加水平磁场，其中，线圈是鞍型，设有2组相向配置的鞍型线圈的对，2组线圈对中的2条线圈轴包含在同一水平面内，当在该水平面内，将提拉炉的中心轴的磁...

本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，其能够利用现有的修整方法以外的手段来进行研磨布的起毛整形，而获得能够维持边缘平坦度且高平坦度的晶圆。一种晶圆的双面研磨方法，将晶圆夹持于分别贴附有研磨布的上平台与下平台之间，并使所述研磨布滑动接触于该晶...

提供一种双面研磨装置，其能够准确地评价在研磨中的晶圆外周部的厚度(形状)，并能够进行可靠的厚度测量。本发明的晶圆的双面研磨装置还配置有厚度测量装置，其在保持于载具的晶圆在研磨中通过的位置测量晶圆的厚度，双面研磨装置还具有评价处理部，该评...

本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在由多个层结合而成的复合基板上形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧...