研磨用组合物、硅晶圆的研磨方法及研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供能够提高研磨(加工)速度的研磨用组合物及研磨方法。所述研磨用组合物的特征在于，其含有作为磨料颗粒的平均粒径为100nm以下的二氧化硅及阳离子表面活性剂，并且所述研磨用组合物的pH为9.0以上、且ZETA电位为

【技术实现步骤摘要】
研磨用组合物、硅晶圆的研磨方法及研磨装置


[0001]本专利技术涉及用于硅晶圆的研磨的研磨用组合物、研磨方法及研磨装置。

技术介绍

[0002]CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械研磨)主要用于使形成在由硅及砷化镓等形成的晶圆表面上的氧化膜、金属膜及陶瓷膜等多层布线用薄膜平坦，对于在晶圆表面上构筑多层布线、制造性能高及集成度高的超LSI(Large Scale Integration(大规模集成电路))而言是不可或缺的技术。
[0003]在以往，作为用于硅的研磨的研磨用组合物，已知一种含有平均粒径为42nm的胶态二氧化硅与低分子量脂肪族胺的硅研磨剂(专利文献1)。
[0004]低分子量脂肪族胺由乙二胺及甲胺等组成。并且，在该硅研磨剂中，胶态二氧化硅具有3.8重量％的含量，作为低分子量脂肪族胺的乙二胺具有3.1重量％的含量。并且，通过使用该硅研磨剂对硅进行研磨，得到了1.143μm/分钟的研磨速度。
[0005]此外，专利文献2公开了一种研磨剂组合物，其含有磨料颗粒、水溶性高分子化合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨用组合物，其为用于研磨硅晶圆的研磨用组合物，其特征在于，其含有作为磨料颗粒的平均粒径为100nm以下的二氧化硅及阳离子表面活性剂，所述研磨用组合物的pH为9.0以上、且ZETA电位为
±
30mV以内，并且所述阳离子表面活性剂为亲水基团为季铵、在疏水基团中具有碳原子数为14以上的烷基的结构的表面活性剂。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：大关正彬，阿部达夫，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：