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研磨用组合物、硅晶圆的研磨方法及研磨装置制造方法及图纸
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下载研磨用组合物、硅晶圆的研磨方法及研磨装置的技术资料
文档序号:39247796
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本发明的目的在于提供能够提高研磨(加工)速度的研磨用组合物及研磨方法。所述研磨用组合物的特征在于,其含有作为磨料颗粒的平均粒径为100nm以下的二氧化硅及阳离子表面活性剂,并且所述研磨用组合物的pH为9.0以上、且ZETA电位为
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该专利属于信越半导体株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过信越半导体株式会社授权不得商用。
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