研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法技术

本发明专利技术涉及研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法。提供：用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的研磨速度之比的方案。提供一种研磨用组合物，其含有：磨粒，其包含至少1种氧化锆颗粒；选择比改善剂，其用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的研磨速度之比、且包含由1价的阴离子和1价以上的阳离子形成的至少1种盐；和，pH调节剂，其包含至少1种酸，所述研磨用组合物的pH超过3.0且低于7.0，前述磨粒的Zeta电位为正的值。电位为正的值。

【技术实现步骤摘要】
研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着LSI(Large Scale Integration)的高集成化、高性能化而开发出新的微细加工技术。化学机械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)法也是其之一，其是LSI制造工序、特别是多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化、金属插头形成、埋入布线(嵌入布线)形成中频繁利用的技术。
[0003]作为多层布线形成工序中的层间绝缘膜的材料，逐渐采用低介电常数(Low
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k)材料以抑制布线间容量。由等离子体CVD法形成的SiOC(SiO2中掺杂有C的、添加有碳的氧化硅(也有时称为含碳氧化硅))作为低介电常数(Low
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k)材料被广泛采用。
[0004]作为用于对SiOC进行研磨的技术，日本特开2017
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139349号公报中公开了一种研磨用组合物，其含有：包含铈的磨粒和羟烷基纤维素，所述研磨用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨用组合物，其含有：磨粒，其包含至少1种氧化锆颗粒；选择比改善剂，其用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的研磨速度之比且包含由1价的阴离子和1价以上的阳离子形成的至少1种盐；和，pH调节剂，其包含至少1种酸，所述研磨用组合物的pH超过3.0且低于7.0，所述磨粒的Zeta电位为正的值。2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述选择比改善剂的浓度为50ppm以上且1000ppm以下。3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其pH为4.0以上且6.0以下。4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述pH...

【专利技术属性】
技术研发人员：多田真树，熊山茜，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：