一种微藻基抛光磨料及含有其的抛光液、其制备方法及用途技术

本发明专利技术提供一种微藻基抛光磨料及含有其的抛光液、其制备方法及用途。所述微藻基抛光磨料的制备方法包括以下步骤：将微藻加入到磷酸盐缓冲溶液中混合得到微藻溶液；将磨料加入到微藻溶液中搅拌得到微藻基抛光磨料。本发明专利技术还公开了一种含有微藻基抛光磨料的抛光液，包括重量配比如下的各组分：微藻基抛光磨料1

【技术实现步骤摘要】
一种微藻基抛光磨料及含有其的抛光液、其制备方法及用途


[0001]本专利技术涉及抛光技术，尤其涉及一种微藻基抛光磨料及含有其的抛光液、其制备方法及用途。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料碳化硅(SiC)等均属高温陶瓷材料，具有两个显著特点：硬度高(莫氏硬度9.2)和化学惰性。SiC材料硬度高，普通硬度磨粒对SiC摩擦去除效率低；而且磨粒锋利的边角容易被坚硬的SiC迅速钝化，抛光效率随时间迅速衰减，工艺稳定性差。金刚石磨粒摩擦去除效率高，但对SiC表面损伤严重，产品表面质量无法满足电子器件生产对表面品质的苛刻要求。SiC化学惰性极强，常规化学试剂与其反应活性极低，反应速度非常慢，难以快速实现SiC表面软化，化学抛光的效果差。
[0003]现有技术中公开了一些SiC抛光液，例如：
[0004]CN114940886A公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液，该抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成：纳米氧化铝磨粒1
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50％、表面活性剂0.05
‑
5％、氧化剂0.2
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微藻基抛光磨料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将微藻加入到磷酸盐缓冲溶液中混合得到微藻溶液；将磨料加入到微藻溶液中搅拌得到微藻基抛光磨料。2.根据权利要求1所述微藻基抛光磨料的制备方法，其特征在于，所述微藻为蓝藻、小球藻、螺旋藻和红球藻的一种或多种；和/或，所述磨料为二氧化硅、氧化铈、金刚石、碳化硅、氮化硼、氧化锆和氧化铝中的一种或多种。3.根据权利要求1所述微藻基抛光磨料的制备方法，其特征在于，在将微藻加入到磷酸盐缓冲溶液中混合前，采用NaCl溶液清洗微藻。4.一种微藻基抛光磨料，其特征在于，采用权利要求1
‑
3任意一项所述制备方法制备而成。5.一种含有微藻基抛光磨料的抛光液，其特征在于，包含权利要求4所述微藻基抛光磨料。6.根据权利要求5所述含有微藻基抛光磨料的抛光液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，李传强，单晓倩，
申请(专利权)人：大连奥首科技有限公司，
类型：发明
国别省市：