一种金刚线切割液、其制备方法与应用技术

本申请公开了一种金刚线切割液、其制备方法与应用，以质量份计，切割液包括：10～30份的表面活性剂、10～20份的润湿剂、10～30份的渗透剂、0.5～5份的消泡剂和30～50份的超纯水。本申请的切割液中同时具有含碳氟链的表面活性剂和含碳氢链的表面活性剂，使得切割液具有更加优异的润湿性，有效减少硅片厚度不均以及切割过程的卡线问题；且上述的两种表面活性剂复配后还提高了切割液的缓蚀效果，有效减少切割过程的金刚线断线问题。本申请的切割液具有优异的切割能力，能够起到很好的防腐蚀效果，并有效保护金刚线，保证了切割质量与效率。保证了切割质量与效率。保证了切割质量与效率。

【技术实现步骤摘要】
一种金刚线切割液、其制备方法与应用


[0001]本申请属于芯片切割
，具体涉及一种金刚线切割液、其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]硅晶片直径的增大，厚度和线宽的降低，以及对硅晶片几何尺寸和其表面机械损伤小、晶格完整性的更高的要求，从而对硅晶片切割加工质量提出了更高的要求。目前的金刚线切割液还不能完全满足工业生产要求，切割过程中经常出现划痕、断线、腐蚀等问题。

技术实现思路

[0003]申请目的：本申请提供一种金刚线切割液、其制备方法与应用，旨在解决硅片切割过程金刚线的断线、表面腐蚀和划痕等问题。
[0004]技术方案：本申请的一种金刚线切割液，以质量份计，包括：10～30份的表面活性剂、10～20份的润湿剂、10～30份的渗透剂、0.5～5份的消泡剂和30～50份的超纯水；
[0005]其中，所述表面活性剂包括第一表面活性剂和第二表面活性剂，所述第一表面活性剂的化学式为：F(CF2)
q
(CH2)
m
(OCH2CH2)
n
OH，其中，q为6
‑
8的整数；m为1
‑
3的整数；n为8
‑
13的整数；
[0006]所述第二表面活性剂的化学式为：C
10
H
21
O(CH2CH2O)
x
H；其中，x为9
‑
13的整数。
[0007]在一些实施例中，所述第一表面活性剂的化学式为：F(CF2)8(CH2)2(OCH2CH2)9OH；所述第二表面活性剂的化学式为：C
10
H
21
O(CH2CH2O)
10
H。
[0008]在一些实施例中，所述第一表面活性剂和第二表面活性剂的质量比为1:(9
‑
20)。
[0009]在一些实施例中，所述润湿剂选自下式(1)、式(2)化合物中的至少一种；
[0010]式(1)为：R1O(CH2CH2O)
a
H，其中，R1选自C9～C
11
的烃基，a为7
‑
9的整数；
[0011]式(2)为：R2O(CH2CH3CHO)
b
H，其中，R2选自C8～C
12
的烃基，b为8
‑
9的整数。
[0012]在一些实施例中，所述渗透剂的化学式为：C
10
H
21
O(CH2CH2O)
c
H，其中，c为4
‑
6的整数。
[0013]在一些实施例中，所述消泡剂选自矿物油、脂肪酸、脂肪酸酯、脂肪酰胺、聚醚中的至少一种；
[0014]其中，脂肪酸选自辛酸、壬二酸、葵酸、月桂酸中的至少一种；脂肪酸酯选自月桂酸单甘酯、醋酸单甘酯、乳酸单甘酯、二乙酰酒石酸单甘酯、琥珀酸单甘酯中的至少一种；脂肪酰胺选自油酸酰胺、芥酸酰胺、N
‑
(4
‑
羟苯基)硬脂酸酰胺、脂肪酸二乙醇酰胺中的至少一种；聚醚选自聚氧乙烯醚、环氧丙基封端聚醚、丙二醇嵌段聚醚中的至少一种。
[0015]在一些实施例中，所述消泡剂由矿物油和聚醚组成，其中，所述矿物油与聚醚的质量比为1:(1
‑
10)。
[0016]在一些实施例中，以质量份计，包括：15～25份的表面活性剂、12～17份的润湿剂、15～25份的渗透剂、1～3份的消泡剂和35～45份的超纯水。
[0017]在一些实施例中，本申请还提供所述的金刚线切割液的制备方法，包括以下步骤：
[0018]分别称取各自质量份的表面活性剂、润湿剂、渗透剂和消泡剂并混合，然后加入对应质量份的超纯水、搅拌，得到金刚线切割液。
[0019]在一些实施例中，本申请还提供一种所述的金刚线切割液在切割半导体硅片中的应用。
[0020]有益效果：与现有技术相比，本申请的切割液中同时具有含碳氟链的表面活性剂和含碳氢链的表面活性剂，使得切割液具有更加优异的润湿性，有效减少硅片厚度不均以及切割过程的卡线问题；且上述的两种表面活性剂复配后还提高了切割液的缓蚀效果，有效减少切割过程的金刚线断线问题。本申请的切割液具有优异的切割能力，能够起到很好的防腐蚀效果，并有效保护金刚线，保证了切割质量与效率。
[0021]可以理解的是，与现有技术相比，本申请实施例提供的金刚线切割液的制备方法以及金刚线切割液的应用具有上述金刚线切割液的所有技术特征以及有益效果，在此不再赘述。
附图说明
[0022]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0023]图1是实施例1的切割液进行切割后硅片表面划痕情况；
[0024]图2是对比例1的切割液进行切割后硅片表面划痕情况；
[0025]图3是实施例1的切割液进行切割后硅片表面崩边情况；
[0026]图4是对比例1的切割液进行切割后硅片表面崩边情况。
具体实施方式
[0027]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0028]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
[0029]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。
[0030]申请人发现，随着大规模集成电路的科技日新月异，全球电子芯片产业迅猛发展，单晶硅和多晶硅的使用量也不断增加。另外，随着加大对可再生能源的利用，太阳能光伏行
业作为新能源产业发展迅速，太阳能行业需要大量的硅材料，尤其是多晶硅。硅晶片直径的增大，厚度和线宽的降低，以及对硅晶片几何尺寸和其表面机械损伤小、晶格完整性的更高的要求等，从而对硅晶片切割加工质量提出了更高的要求。硅晶片的切割质量将影响到后续的研磨、抛光和刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金刚线切割液，其特征在于，以质量份计，包括：10～30份的表面活性剂、10～20份的润湿剂、10～30份的渗透剂、0.5～5份的消泡剂和30～50份的超纯水；其中，所述表面活性剂包括第一表面活性剂和第二表面活性剂，所述第一表面活性剂的化学式为：F(CF2)
q
(CH2)
m
(OCH2CH2)
n
OH，其中，q为6
‑
8的整数；m为1
‑
3的整数；n为8
‑
13的整数；所述第二表面活性剂的化学式为：C
10
H
21
O(CH2CH2O)
x
H；其中，x为9
‑
13的整数。2.根据权利要求1所述的金刚线切割液，其特征在于，所述第一表面活性剂的化学式为：F(CF2)8(CH2)2(OCH2CH2)9OH；所述第二表面活性剂的化学式为：C
10
H
21
O(CH2CH2O)
10
H。3.根据权利要求1所述的金刚线切割液，其特征在于，所述第一表面活性剂和所述第二表面活性剂的质量比为1:(9
‑
20)。4.根据权利要求1所述的金刚线切割液，其特征在于，所述润湿剂选自下式(1)、式(2)化合物中的至少一种；式(1)为：R1O(CH2CH2O)
a
H，其中，R1选自C9～C
11
的烃基，a为7
‑
9的整数；式(2)为：R2O(CH2CH3CHO)
b
...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，孙瑶，李传友，褚雨露，
申请(专利权)人：大连奥首科技有限公司，
类型：发明
国别省市：