本发明专利技术提供了一种能够防止晶圆上CMOS影像感应器受到污染和划伤的保护液、其制备方法、使用方法和专用于其的清洗液和清洗方法，所述保护液包含特定的非水溶性树脂和改性剂。该保护液通过包含特定限制的非水溶性树脂以及其它组分的相互作用，从而可以特别适用于其上具有CMOS影像感应器与其上的晶圆的切割保护，且所述清洗液具有优异的清洗性能，从而所述保护液和清洗液可应用到半导体加工领域中，具有广泛的应用前景和推广价值。具有广泛的应用前景和推广价值。具有广泛的应用前景和推广价值。
【技术实现步骤摘要】
CMOS影像感应器防污染和防划伤的保护液及专用清洗液
[0001]本专利技术涉及一种用于精密半导体加工工序中的组合物、制备方法、用途及使用其的半导体加工方法、专用于其的清洗液等，更特别地涉及一种用于CMOS影像感应器防污染和防划伤的保护液、制备方法、用途、其上具有CMOS影像感应器的半导体的晶圆切割方法、专用于所述保护液的清洗液以及清洗方法等多个方面，属于精密半导体加工技术与应用领域。
技术介绍
[0002]影像感应器是目前使用相当普遍的一类光学元件，例如市场流行已久的扫描器以及目前正热门的数字相机，尤其是诸多的军用设备如光学追踪、光电导引头等高端设备，其内皆装有影像感应器。
[0003]影像感应器主要有电荷耦合元件(charge coupled device，简称CCD)影像感应器与CMOS影像感应器两种，其中CMOS影像感应器由于与CCD影像感应器相比，具有操作电压较低、低耗能、与逻辑电路相容、可随机存取以及低成本等优点，从而应用更为广泛，在半导体领域中占有重要的比重。
[0004]晶粒切割(die saw)是半导体封装制程(例如塑胶封装制程需要依序进行晶粒切割、晶粒黏合(mount)、打线接合(wire bond)、铸模成型、烘烤硬化、引脚镀锡、引脚切割成型等步骤)中的一个重要步骤，但晶粒切割程序是造成制作于晶圆上的CMOS影像感应器的合格率降低的主要原因，为了更详细说明此原因，请参阅图1，其为传统晶圆切割方法的流程图。
[0005]如图1所示，首先，在欲切割晶圆的背面(亦即没有元件形成的一面)黏着一胶带(例如现有的蓝胶带(blue tape))(步骤10)。其中，晶圆背面由于胶带黏着，从而在切割时就不会产生碎片。然后，切割此黏着有胶带的晶圆(步骤12)。其中，在晶圆切割的同时，通常必需时利用水对晶圆进行喷洗，随后切割所得的晶粒，将继续进行晶粒黏结(mount)程序。
[0006]在图1所示的传统晶粒切割方法的流程中，当晶圆在切割时，在切割处会产生微粒，而此微粒很容易扬起并掉落至晶圆上，倘若晶圆具有CMOS影像感应器形成于其上，则此微粒很容易扬起并掉落至CMOS影像感应器的主动区域上，又因CMOS影像感应器对微粒具有高敏感度，故CMOS影像感应器的合格率将会大为降低(制作于晶圆上的所有CMOS影像感应器，约有15
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20％的CMOS影像感应器会因为微粒附着于其上而损坏)。同时，在切割的过程中会向刀片与晶圆切割处喷水降温，高速旋转的刀轮会产生具有一定冲击力且裹挟有切割碎屑的水流，其迸溅至CMOS影像感应器上会出现划伤，导致CMOS影像感应器的合格率进一步下降。
[0007]基于上述缺陷，如何避免晶圆切割时所产生的微粒因为掉落在晶圆表面的CMOS影像感应器上和切割时产生的碎屑划伤晶圆表面的CMOS影像感应器，而造成CMOS影像感应器的功能失效问题，便显得非常重要，这对于提高CMOS影像感应器的良品率、提高生产效率和降低成本具有非常显著的意义。
[0008]但迄今为止，尚未有用来防止CMOS影像感应器受到污染和划伤的现有技术，更未有专门用于该用途的保护液及其制备方法和应用等的现有技术。
[0009]因此，对于CMOS影像感应器的防污染、防划伤的保护液存在着迫切的需求，针对于精密新型的激光切割保护液，尤其在宽域成膜厚度、热稳定性、快速成膜和良好清洗等方面，仍存在继续改进的工业需求，这也是目前该领域中的一个研发热点和重点所在。
技术实现思路
[0010]本专利技术是为避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上和产生的碎屑划伤晶圆表面上的精密结构，尤其是专用于互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，简称CMOS)影像感应器(CMOS image sensor，简称CIS)的切割保护而设计。
[0011]本专利技术旨在提供一种用于具有精密结构的晶圆切割保护液及其关联技术方案(包括其制备方法、切割保护方法、用途、专用于该保护液的清洗液、清洗方法等)，尤其是专用于避免其上具有CMOS影像感应器的晶圆切割时微粒掉落至CMOS影像感应器上和切割碎屑划伤CMOS影像感应器的保护液及其关联技术方案，所述保护液和清洗液并不影响晶圆背面所贴覆蓝膜的正常使用，具有优异的成膜性能和溶解性能的均一性，且清洗液中不含金属离子，可以避免后续封装工艺中的漏电问题，以及其中的特定组分能够加快保护液所形成保护层的清除速率，且可以抑制电极腐蚀等，藉这些显著的优异效果，可以显著提高CMOS影像感应器的加工合格率。
[0012]需要注意的是，在本专利技术中，除非另有规定，涉及组成限定和描述的“包括”的具体含义，既包含了开放式的“包括”、“包含”等及其类似含义，也包含了封闭式的“由
…
组成”等及其类似含义。
[0013]本专利技术主要涉及如下几个具体技术方案。
[0014][第一个技术方案][0015]第一个技术方案，本专利技术的一个目的在于提供一种用于其上具有CMOS影像感应器的晶圆的切割保护液(以下有时也称为“切割保护液”或“晶圆切割保护液”，三者均具有相同的指代含义)，所述切割保护液包含：
[0016](1)含酸酐非水溶性树脂；
[0017](2)改进剂；
[0018]其中，所述含酸酐非水溶性树脂与改进剂的质量比为10
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30:20
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100。
[0019]该质量比包括了两个数值范围中任何一个具体点值相互之间的任何组合之比例，例如可为10:20、10:40、10:60、10:80、10:100、20:20、20:40、20:60、20:80、20:100、30:20、30:40、30:60、30:80、30:100。
[0020]在所述切割保护液中，所述含酸酐非水溶性树脂为分子量1万
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200万的聚甲基乙烯基醚马来酸酐交替共聚物(也称为“聚甲基乙烯基醚马来酸酐共聚物”)或其酯化产物、分子量为1万
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200万的聚乙烯基醚马来酸酐交替共聚物(也称为“聚乙烯基醚马来酸酐共聚物”)或其酯化产物、分子量为0.1万
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2万的聚苯乙烯马来酸酐共聚物或其酯化产物中的一种或多种。
[0021]其中，优选所述含酸酐非水溶性树脂为分子量为1万
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50万的聚甲基乙烯基醚马来酸酐交替共聚物或其酯化产物、分子量为1万
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50万的聚乙烯基醚马来酸酐交替共聚物或其
酯化产物、分子量为0.1万
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1万的聚苯乙烯马来酸酐共聚物或其酯化产物。
[0022]最优选所述含酸酐非水溶性树脂为分子量为5万
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20万的聚甲基乙烯基醚马来酸酐交替共聚物或其酯化产物。
[0023]其中，上述的各个共聚物都是非常公知的常规共聚物，可通过多种渠道而商业购得，在此不再进行详细描述。
[0024]在所述切割保护液中，所述改性剂选自乙二醇苯醚、丙二本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于其上具有CMOS影像感应器的晶圆的切割保护液，所述切割保护液包含：(1)含酸酐非水溶性树脂；(2)改进剂；其中，所述非水溶性树脂与改进剂的质量比为10
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30:20
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100。2.如权利要求1所述的切割保护液，其特征在于：所述含酸酐非水溶性树脂为分子量1万
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200万的聚甲基乙烯基醚马来酸酐交替共聚物或其酯化产物、分子量为1万
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200万的聚乙烯基醚马来酸酐交替共聚物或其酯化产物、分子量为0.1万
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2万的聚苯乙烯马来酸酐共聚物或其酯化产物中的一种或多种。3.如权利要求1或2所述的切割保护液，其特征在于：所述改性剂选自乙二醇苯醚、丙二醇苯醚、二丙二醇丁醚、丙二醇甲醚、3
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乙氧基丙酸乙酯、醋酸丁酯、乙酸乙酯中的一种或多种。4.如权利要求1
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3任一项所述的切割保护液，其特征在于：所述晶圆切割保护液以质量份计，包括如下组分：5.如权利要求1
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4任一项所述的切割保护液的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：A1：分别称取各自用量的各个组份；A2：将各个组份顺次加入容器中，室温下搅拌1.5
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2.5h，得到均匀透明的淡黄色液体，即得所述切割保护液。6.如权利要求1
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4任一项所述的切割保护液在其上具有CMOS影像感应器的晶圆的切割保护中的用途。7.使用权利要求1
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4任一项所述的切割保护液进行晶圆切割保护的方法，所述方法包括如下步骤：B1：将10
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50ml保护液滴加到晶圆表面，使用匀胶机按照500
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1500r/min的速度旋转30
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60s；B2：将表面旋涂有保护液的晶圆在65
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75℃下烘烤60
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90min,固化成膜形成保护层；B3：将表面覆...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，贺剑锋，褚雨露，张楠，
申请(专利权)人：大连奥首科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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