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本发明涉及研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法。提供：用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的研磨速度之比的方案。提供一种研磨用组合物，其含有：磨粒，其包含至少1种氧化锆颗粒；选择比改善剂，其用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的...
该专利属于福吉米株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过福吉米株式会社授权不得商用。

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