紫外线发光元件用外延片的制造方法、紫外线发光元件用基板的制造方法、紫外线发光元件用外延片及紫外线发光元件用基板技术

本发明专利技术提供一种紫外线发光元件用外延片的制造方法，其具有：准备至少一个表面由氮化镓构成的支撑基板的工序；在所述支撑基板的由所述氮化镓构成的所述表面形成接合层的工序；在所述接合层上贴合由Al

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】紫外线发光元件用外延片的制造方法、紫外线发光元件用基板的制造方法、紫外线发光元件用外延片及紫外线发光元件用基板


[0001]本专利技术涉及紫外线发光元件用外延片的制造方法、紫外线发光元件用基板的制造方法、紫外线发光元件用外延片及紫外线发光元件用基板。

技术介绍

[0002]从无汞、使用寿命长、小型化、轻量化、节能等角度出发，近年来，活用了氮化物半导体材料的深紫外线用发光二极管作为杀菌用光源的市场扩大备受期待。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本特开2020
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100528号公报专利文献2：日本特开2020
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35829号公报非专利文献
[0004]非专利文献1：光学246(2)“深紫外氮化物系发光器件”川崎宏治

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0005]然而，上述深紫外线用发光二极管用外延基板形成在蓝宝石或SiC之类的晶格常数不同的材料基板上。在此情况下，会产生由晶格失配造成的缺陷，有内量子效率降低、能量转换效率下降的倾向。此外，在波长短于25本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种紫外线发光元件用外延片的制造方法，其特征在于，其具有：准备至少一个表面由氮化镓构成的支撑基板的工序；在所述支撑基板的由所述氮化镓构成的所述表面形成接合层的工序；在所述接合层上贴合由Al
x
Ga1‑
x
N单晶构成的晶种，形成具有晶种层的贴合基板的工序，其中，0.5＜x≤1.0；及使至少包含由Al
y
Ga1‑
y
N构成的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及由Al
z
Ga1‑
z
N构成的第二导电型包覆层的紫外发光元件层在所述贴合基板的所述晶种层上外延生长的工序，其中，0.5＜y≤1.0、0.5＜z≤1.0。2.根据权利要求1所述的紫外线发光元件用外延片的制造方法，其特征在于，在形成所述贴合基板的工序中，通过对Al
x
Ga1‑
x
N单晶自支撑基板或Al
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Ga1‑
x
N外延基板进行离子注入而在内部形成脆弱层后，与所述支撑基板贴合，并在所述脆弱层进行剥离，由此形成所述晶种层，其中，0.5＜x≤1.0。3.根据权利要求1或2所述的紫外线发光元件用外延片的制造方法，其特征在于，其具有：在使所述第一导电型包覆层生长前，通过HVPE法而使外延层在所述晶种层上生长的工序。4.根据权利要求1或2所述的紫外线发光元件用外延片的制造方法，其特征在于，其具有：将相对于紫外光呈透明的永久支撑基板接合于所述紫外发光元件层侧的工序。5.根据权利要求1或2所述的紫外线发光元件用外延片的制造方法，其特征在于，其具有：通过HVPE法而使外延层在所述紫外发光元件层侧生长的工序。6.一种紫外线发光元件用基板的制造方法，其特征在于，对于通过权利要求1～5中任一项所述的紫外线发光元件用外延片的制造方法得到的紫外线发光元件用外延片，从所述紫外发光元件层侧照射会被氮化镓吸收的...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋庆太郎，山田雅人，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：