一种发光二极管外延片及制备方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、电子注入层及第二半导体层；所述电子注入层包括依次层叠的第一电子扩展层、电子存储层及第二电子扩展层，所述电子存储层包括多个交替层叠的InGaN层和BSiGaN层，多个交替层叠的所述InGaN层和所述BSiGaN层形成超晶格结构，所述第一电子扩展层的厚度大于所述第二电子扩展层的厚度，所述第二电子扩展层的厚度大于所述电子存储层的厚度，所述BSiGaN层的厚度大于所述InGaN层的厚度，其中，所述InGaN层中In组分范围为0.01~0.2，所述BSiGaN层中B组分范围为0.01~0.5，所述BSiGaN层中Si组分范围为0.01~0.1，提高量子阱的发光效率。阱的发光效率。阱的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片及制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体地涉及一种发光二极管外延片及制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，紫外光的应用不断的拓展，可以应用于水净化、紫外固化、杀菌、消毒、空气净化、防伪检测、紫外光治疗、医疗工具的消毒、光刻和医疗诊断等领域。目前市场中采用的紫外光源多为汞灯，汞灯的发光效率虽然高，但是它的发光光谱非常的宽，而我们实际应用中只用到特定波段的光，大量的光能会被浪费掉。相比于汞灯，氮化镓基LED发光波段更加窄，不会有光能浪费的情况发生。另外，氮化镓基紫外LED还具有无毒无害，寿命长等优势。虽然氮化镓基紫外LED具有诸多优势，但是目前其器件的发光效率仍然比较低，而且大功率发光器件制备困难，导致目前市场上主要的紫外光源仍然是汞灯。
[0003]N型GaN层产生电子的数量远大于空穴的数量，电子的有效质量小于空穴，造成电子的迁移率远高于空穴的迁移率。因此电子流入有源层，造成有源层后几个量子阱发光，其他量子阱并不发光，降低量子阱的发光效率。另外AlGaN存在较大的极化电场，会产生量子限制斯塔克效应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、电子注入层及第二半导体层；所述电子注入层包括依次层叠的第一电子扩展层、电子存储层及第二电子扩展层，所述电子存储层包括多个交替层叠的InGaN层和BSiGaN层，多个交替层叠的所述InGaN层和所述BSiGaN层形成超晶格结构，所述第一电子扩展层的厚度大于所述第二电子扩展层的厚度，所述第二电子扩展层的厚度大于所述电子存储层的厚度，所述BSiGaN层的厚度大于所述InGaN层的厚度，其中，所述InGaN层中In组分范围为0.01~0.2，所述BSiGaN层中B组分范围为 0.01~0.5，所述BSiGaN层中Si组分范围为0.01~0.1。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一电子扩展层为 AlGaON层，所述AlGaON层中Al组分的范围为0.01~0.5，所述AlGaON层中O组分的范围为0.01~0.5。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一电子扩展层的厚度范围为10 nm ~100 nm，所述InGaN层的厚度范围为1 nm ~10 nm，所述BSiGaN层厚度范围为5 nm ~50 nm，所述第二电子扩展层的厚度范围为10 nm ~100 nm。4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二电子扩展层为SiAlN层，所述SiAlN层中Si组分的范围为0.01~0.1。5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述电子存储层的交替层叠周期数范围为1个~50个。6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一半导体层包括缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层，所述第二半导体层包括有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，其中，所述缓冲层、所述非掺杂AlGaN层、所述n型AlGaN层、所述电子注入层、所述有源层、所述电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：