发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、U

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]目前，GaN基发光二极管已经大量应用于固态照明领域以及显示领域，吸引越来越多的人关注。外延片是发光二极管的主要构成部分，外延片生长中欧姆接触层对发光二极管的发光效率、工作电压、表面平整度和抗静电能力有最直接的影响。欧姆接触层采用Mg作为P型掺杂，其激活能高，激活效率不到1％，低的空穴浓度使其很难形成欧姆接触。
[0003]现阶段常用的方法是用高Mg掺杂的InGaN结构作为欧姆接触层，但是高的Mg掺杂会带来表面平整度和抗静电能力的下降，并且对Mg的激活和空穴增加也有限，所以工作电压和发光效率都有很大的提升空间。因此，现有外延片欧姆接触层需要进一步改进，以提高发光二极管的发光效率，降低工作电压，提高表面平整度和抗静电能力。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升发光二极管的发光效率，降低工作电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、U
‑
GaN层、N
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GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P
‑
GaN层和欧姆接触层；所述欧姆接触层包括依次层叠的AlN纳米柱层、P
‑
InGaN层和P
‑
BeGaN层；所述P
‑
InGaN层中P型掺杂的浓度＞所述P
‑
BeGaN层中P型掺杂的浓度。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P
‑
BeGaN层通过MOCVD生长，其采用MO源包括Be源、Ga源、N源和P型掺杂源，采用的载气包括N2和/或H2；其中，所述Be源占MO源的摩尔比为0.1
‑
0.3。3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlN纳米柱通过MOCVD生长，生长温度为500℃
‑
700℃，生长压力为500torr
‑
600torr，V/III比为100
‑
300。4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P
‑
InGaN层中P型掺杂元素为Mg，Mg的掺杂浓度为1
×
10
19
cm
‑3‑1×
10
20
cm
‑3；所述P
‑
InGaN层中In组分的占比为0.05
‑
0.1；所述P
‑
BeGaN层中P型掺杂元素为Mg，Mg的掺杂浓度为5
×
10
17
cm
‑3‑5×
10
18
cm
‑3。5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P
‑
InGaN层的厚度为5nm
‑
10nm；所述P
‑
BeGaN层的厚度为1nm
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：