外延层结构及制作方法、发光芯片和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种外延层结构及制作方法、发光芯片和发光装置。外延层结构包括N型半导体层、P型半导体层、有源层；N型半导体层包括N型窗口层，N型窗口层包括多个第一材料层和同等数量的第二材料层，第一材料层和第二材料层一一交替设置；第一材料层和第二材料层为折射率不同的磷化物电流扩展材料，且第一材料层以及第二材料层的厚度根据有源层发出的目标光线的波长配置以实现对目标光线的反射。一些实施过程中使得更多的目标光线从P面射出，提高了最终形成的发光芯片在P面出光时的出光效率，因此也提高了发光芯片的整体亮度。因此也提高了发光芯片的整体亮度。因此也提高了发光芯片的整体亮度。

【技术实现步骤摘要】
外延层结构及制作方法、发光芯片和发光装置


[0001]本专利技术涉及发光芯片领域，尤其涉及外延层结构及制作方法、发光芯片和发光装置。

技术介绍

[0002]近年来，微米量级的Mini LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)、Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)组成的显示屏已经被研发，由于芯片尺寸小、集成度高，在显示方面与LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]但在常规的Mini LED、Micro LED等发光芯片的外延结构中，光的出射效率仍然不高，部分光线被浪费，亮度仍有提升空间。
[0004]因此，如何提高发光芯片的光线出射效率是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延层结构，其特征在于，包括：N型半导体层；P型半导体层；有源层，设于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间；所述N型半导体层包括N型窗口层，所述N型窗口层包括多个第一材料层和同等数量的第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层一一交替设置；所述第一材料层和所述第二材料层为折射率不同的磷化物电流扩展材料，且所述第一材料层以及所述第二材料层的厚度根据所述有源层发出的目标光线的波长配置以实现对所述目标光线的反射。2.如权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述N型半导体层还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设于所述N型窗口层远离所述有源层的一侧，所述第一材料层的势垒低于所述第二材料层，所述N型窗口层中最靠近所述欧姆接触层的一层为所述第一材料层。3.如权利要求1或2所述的外延层结构，其特征在于，所述第一材料层包括(Al
x
Ga1‑
x
)
0.5
In
0.5
P，0≤x≤1；所述第二材料层包括(Al
y
Ga1‑
y
)
0.5
In
0.5
P，0≤y≤1，且所述x不等于所述y。4.如权利要求3所述的外延层结构，其特征在于，0.15≤x≤0.45，0.5≤y≤1；或，x＝0，0.5≤y≤1。5.如权利要求4所述的外延层结构，其特征在于，各所述第一材料层的厚度相等，所述第一材料层的厚度为41

【专利技术属性】
技术研发人员：孙威威，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：