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本发明涉及一种外延层结构及制作方法、发光芯片和发光装置。外延层结构包括N型半导体层、P型半导体层、有源层；N型半导体层包括N型窗口层，N型窗口层包括多个第一材料层和同等数量的第二材料层，第一材料层和第二材料层一一交替设置；第一材料层和第二材...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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