化合物半导体接合基板的制造方法及化合物半导体接合基板技术

本发明专利技术涉及化合物半导体接合基板的制造方法，其包括下述工序：(1)使化合物半导体功能层在起始基板上外延生长的工序；(2)将支撑基板暂时接合于所述外延生长面，制成第一化合物半导体接合基板的工序；(3)将所述起始基板从所述第一化合物半导体接合基板中去除，制成第二化合物半导体接合基板的工序；(4)将所述第二化合物半导体接合基板的去除了所述起始基板的面正式接合于永久基板，制成第三化合物半导体接合基板的工序；及(5)将所述支撑基板从所述第三化合物半导体接合基板中去除，制成第四化合物半导体接合基板的工序；其中，暂时接合通过热固性树脂而进行，且不使该热固性树脂固化而使其保持软化状态，并且，正式接合通过硅氧化膜或硅氮化膜而进行。由此，提供一种提高了器件或器件系统设计上的自由度的化合物半导体接合基板的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及使化合物半导体功能层在起始基板上外延生长并仅分离出外延生长层而移置至另一基板的技术。

技术介绍

1、从起始基板仅分离出外延功能层并移置至另一基板的技术，是能够减小由起始基板的物性导致的限制从而提高器件系统的设计自由度的重要技术。为了实现移置，需要一种将外延功能层暂时接合在暂时支撑基板上并进行保持，在接合于永久基板上后解除暂时接合，从而实现移置的技术。

2、专利文献1中公开了一种利用湿式蚀刻对暂时支撑基板与外延功能层进行分离的技术。然而，在专利文献1中，由于利用湿式蚀刻对暂时支撑基板与外延功能层进行分离，因此需要分离槽。

3、由于以湿式蚀刻进行剥离需要形成分离槽，因此在一片晶圆内存在不均匀的器件图案时或需要使分离槽较狭窄时等，存在设计上的自由度因存在分离槽而受到限制的问题。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2021－27301

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题

2、本专利技术是鉴于上述问题而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：

2.根据权利要求1所述的化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，以厚度大于1.0μm且为30μm以下的方式涂布所述热固性树脂。

3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，所述热固性树脂为苯并环丁烯(BCB)树脂、氟树脂或聚酰亚胺(PI)树脂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，所述硅氧化膜或硅氮化膜的表面粗糙度为Ra＝1nm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物半导体接合基板的制造...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：

2.根据权利要求1所述的化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，以厚度大于1.0μm且为30μm以下的方式涂布所述热固性树脂。

3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，所述热固性树脂为苯并环丁烯(bcb)树脂、氟树脂或聚酰亚胺(pi)树脂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，所述硅氧化膜或硅氮化膜的表面粗糙度为ra＝1nm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物半导体接合基板的制造方法，其特征在于，所述支撑基板由aln、al2o3、cu、gaas、gan、gap、inp、si、sic及sio2中的任一种构成。

6.一种化合物半导体接合基板，其是化合物半导体功能层通过热固性树脂接合于支撑基板上而形成的化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，秋山智弘，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：