本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在支撑基板上隔着绝缘层形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧具有未成...

本发明提供一种接合型晶圆的制造方法，其能够减少因BCB(苯并环丁烯)的热固性不良而产生的外延层的不良部分。本发明的接合型晶圆的制造方法是隔着苯并环丁烯将含P(磷)的外延晶圆与待接合晶圆接合的接合型晶圆的制造方法，该制造方法的特征在于，使...

本发明提供一种单晶提拉装置，具备：具有中心轴的提拉炉；以及设置于提拉炉周围且具有线圈的磁场产生装置，该单晶提拉装置对熔融的半导体原料施加水平磁场，抑制坩埚内的对流，其特征在于，具备主线圈和副线圈，设置有2组相对配置的线圈对作为主线圈，该...

本发明涉及一种外延晶圆的制造方法，是在单晶硅晶圆上形成单晶硅层的外延晶圆的制造方法，包含以下工序：通过氢氟酸将所述单晶硅晶圆表面的自然氧化膜去除；在已去除所述自然氧化膜的所述单晶硅晶圆的表面形成氧原子层；以及在形成有所述氧原子层的所述单...

本实用新型包括一种剥离系统及制造系统。接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具...

本发明的第一方式提供一种单晶制造装置，其特征在于，具有：主腔室；提拉腔室；配置为与硅熔液对置的热屏蔽部件；以包围提拉中的单晶硅的方式配置在热屏蔽部件上的整流筒；配置为围住提拉中的单晶硅且包含朝向硅熔液延伸的部分的冷却筒；以及嵌合于冷却筒...

本发明是一种隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，当利用切克劳斯基法一边对坩埚内的原料熔液施加磁场一边提拉单晶硅时，设置位于原料熔液面上方的隔热部件，并测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离，其特征在于，在所述隔热部件下端面...

提供一种端面部测量装置及端面部测量方法，其不受晶圆的端面部的表面状态影响，能够在短时间内对端面部的整体进行形状测量。该端面部测量装置具备：保持部，其保持晶圆；旋转单元，其使晶圆旋转；以及传感器，其具有：向利用保持部保持的晶圆的端面部投射...

本发明提供一种检查装置，其对构成为包含透光性的透明部且收纳晶圆的收纳容器进行检查，其特征在于，包含：平坦型照明部，其配置为向所述收纳容器的包含所述透明部的至少一部分的被检查部照射光；以及相机，其配置为将所述收纳容器的所述被检查部夹在中间...

本发明是一种外延晶圆的清洗方法，用于清洗正面形成有外延膜的晶圆，包括：第1清洗工序，对所述晶圆的正面、背面及端面的所有面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；第2清洗工序，在所述第1清洗工序之后，对所述晶圆的背面及端面供给清洗液，通过辊型...

本发明提供一种研磨垫，其具有研磨晶圆的表面的研磨层、及用于将该研磨层粘贴至双面研磨装置的上平台的双面胶带，所述双面胶带的90

本发明是一种N型单晶硅晶圆的制造方法，包含从通过CZ法掺杂Al而制造出的N型单晶硅的块切取晶圆的步骤，其特征在于，预先求出所述N型单晶硅的寿命值、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆为止的天数、有无产生OSF之间的关系，基于所述关...

本发明提供一种硅单晶基板的制造方法，其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法，其包含：通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理，使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序；使所述碳与所述硅单晶基板反应，从而在所述硅单晶基板的表面形成3C

本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，包含：研磨粒；与水溶性高分子及表面活性剂中的至少1种，所述研磨用组合物中的所述研磨粒的浓度(ppmw)相对于总有机碳的浓度(ppmw)的比为30以下。由此，能够提供：可提供结晶缺陷及研磨缺陷的显现...

本发明是一种SOI晶圆的制造方法，包含：通过热氧化在包含掺杂剂的基底晶圆的整面形成硅氧化膜的工序；以及使结合晶圆的主面与基底晶圆的第一主面经由硅氧化膜贴合的工序，在热氧化工序之前，还包含：在基底晶圆的第二主面上形成CVD绝缘膜的工序；以...

本发明为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω

本发明涉及一种氮化物半导体晶圆，其为在单晶硅基板上具有由氮化物半导体构成的器件层的氮化物半导体晶圆，其中，所述单晶硅基板为CZ单晶硅基板，其电阻率为1000Ω

提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构...

本发明是一种接合型半导体元件，其为将外延层以及与该外延层为不同材料的支撑基板接合而成，其特征在于，所述外延层以及所述支撑基板中的任一方在接合面具有由以任意点为中心呈放射状扩展的凹部或凸部构成的放射状图案。由此，能提供一种接合型半导体元件...

本发明是一种接合型半导体受光元件(100)，其是将作为器件功能层(10)的外延层以及与该器件功能层(10)为不同材料的支撑基板(30)经由接合材料层(20)接合而成的接合型半导体受光元件(100)，其特征在于，在所述器件功能层(10)的...