氮化物半导体晶圆的制造方法及氮化物半导体晶圆技术

本发明专利技术为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体晶圆的制造方法及氮化物半导体晶圆


[0001]本专利技术涉及氮化物半导体晶圆的制造方法及氮化物半导体晶圆。

技术介绍

[0002]以GaN及AlN为代表的氮化物半导体由于能够制作使用了二维电子气的高电子迁移率晶体管(HEMT)，故期待其作为高频用途的半导体器件的应用。此外，上述氮化物半导体也为机械特性优异的压电体，还期待将其利用于通信用高频滤波器、传感器、能量采集器(energy harvester)等中。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：国际公开第2005/038899号专利文献2：日本特开2012
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79952号公报专利文献3：日本特开2011
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103380号公报

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0004]然而，不易制作这些氮化物半导体的晶圆。在产业应用中，使用通过气相沉积而形成在蓝宝石、SiC或硅基板上的氮化物半导体薄膜。尤其是通过气相沉积而在硅基板上制作氮化物半导体薄膜时，由于能够使用口径比蓝宝石及SiC大的基板，因此生产率高，在散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其特征在于，将电阻率为1000Ω
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cm以上、氧浓度小于1
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原子/cm3、厚度为1000μm以上的硅单晶基板用作所述硅单晶基板，通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在所述硅单晶基板上。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体晶圆的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋庆太郎，筱宮胜，萩本和德，久保埜一平，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：