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本发明为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω
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该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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