【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法、控制方法以及单晶硅的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种利用切克劳斯基法从坩埚内的原料熔液中提拉单晶硅时的、配置于原料熔液面上方的隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法、该距离的控制方法、以及单晶硅的制造方法。
技术介绍
[0002]作为用于半导体元件制造的单晶硅的制造方法，广泛实施一种一边使单晶硅从石英坩埚内的原料熔液中生长一边进行提拉的切克劳斯基法(CZ法)。在CZ法中，在惰性气体氛围下将晶种沉浸在石英坩埚内的原料熔液(硅熔液)中，通过一边使该石英坩埚及晶种旋转一边进行提拉，从而生长期望直径的单晶硅。
[0003]近年来，由于半导体元件的高集成化和与其相伴的微细化的进展，硅晶圆内的结晶缺陷(grown
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in缺陷)成为问题。结晶缺陷是使半导体元件的特性劣化的主要原因，随着元件微细化的进展，其影响进一步增大。作为这样的结晶缺陷而公知有在利用CZ法的单晶硅中作为空孔的凝聚体即八面体的空隙状缺陷(非专利文献1)、晶格间硅的凝聚体形成的位错簇(...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，当利用切克劳斯基法一边对坩埚内的原料熔液施加磁场一边提拉单晶硅时，设置位于原料熔液面上方的隔热部件，并测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离，其特征在于，在所述隔热部件下端面形成贯通孔，当实测所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间的距离并用定点观测机观测了所述贯通孔的反射到所述原料熔液面的镜像的位置后，在所述单晶硅提拉过程中，用所述定点观测机测量所述镜像的移动距离，并根据实测值与所述镜像的移动距离来计算隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离。2.根据权利要求1所述的隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，其特征在于，在所述贯通孔的所述镜像位置的观测中，将投影到所述原料熔液面的所述隔热部件的下端的镜像中的所述贯通孔作为暗部，将所述贯通孔以外的部分作为明部进行检测。3.根据权利要求1或者权利要求2所述的隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，其特征在于，当实测所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间的距离时，用配置于所述原料熔液的上方的基准位置检测器检测用于使所述单晶硅生长的晶种的下端并作为基准位置，之后，使所述晶种的下端下降到所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间，并使所述坩埚上升而使所述晶种下端与所述原料熔液面接触，并根据从该接触位置到所述基准位置的距离和从所述隔热部件下端面到所述基准位置的距离...
【专利技术属性】
技术研发人员：菅原孝世，今井崇希，秋叶雅弘，北川胜之，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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