本发明提供一种工件的切断方法，其通过线锯进行，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，一边将冷却剂供给至固定磨粒金属线，并使固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向金属线列切入进给，从而将工件在轴向排列的多个位置同时切...

本发明提供一种双面研磨方法，将晶圆配置于下平台的上表面所贴附的研磨垫、与在所述下平台的上方设置的上平台的下表面所贴附的研磨垫之间，研磨该晶圆的双面，其特征在于，在将上述两个研磨垫间的内周部的空隙与外周部的空隙之差的绝对值作为垫空隙的情况...

本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆...

本发明提供一种以低成本改善了结晶性并提升了亮度的化合物半导体外延片及其制造方法。所述化合物半导体外延片在由GaM构成的单晶基板(M为P或As)和由GaA

本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板...

本发明提供一种硅晶圆的蚀刻方法，其特征在于，包含旋转蚀刻工序，在该旋转蚀刻工序中，一边使酸蚀刻液通过供给喷嘴而供给至硅晶圆的表面和/或背面，一边使硅晶圆旋转从而将酸蚀刻液的供给范围扩大至整面而进行酸蚀刻，通过重复进行旋转蚀刻工序，从而进...

本发明是一种单晶制造装置，其基于切克劳斯基法，具备：主腔室(2)，其容纳收纳原料融液(5)的坩埚(6)、(7)及对原料融液(5)进行加热的加热器(8)；提拉腔室(3)，其连接设置于主腔室(2)的上部，收纳从原料融液(5)提拉的单晶(4)...

本发明为一种单晶硅的电阻率测定方法，其中，在以四探针法测定单晶硅的电阻率的单晶硅的电阻率测定方法中，具有：至少对所述单晶硅中进行所述电阻率的测定的面进行磨削的第一磨削工序，对实施了所述第一磨削工序的单晶硅进行清洗的清洗工序，对实施了所述...

本发明的目的在于提供一种寿命特性良好的化合物半导体外延片及其制造方法。本发明的化合物半导体外延片是由p型GaAs1‑

本发明涉及一种工件的切断方法，其通过线锯进行，导线器在外表面具有沿着旋转方向以预定间距形成的多个沟，未使用的所述导线器中的所述沟的横截面形状至少具有：沟上部，位于导线器外表面侧且相对的沟壁具有第1开口角度(θ

本发明涉及工件的切断方法，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，并通过一边使其往复移动，一边将经由接合部件通过工件保持装置保持的工件切入进给，从而将工件在多个位置同时切断，其中，使用一部分为磨石的部件作为接合部件，该方法...

本发明是一种基于FZ法的单晶的制造方法，其利用感应加热线圈对原料晶棒进行加热熔融而形成悬浮区域，并使上侧的原料晶棒及下侧的单晶棒相对于感应加热线圈一边旋转一边相对地下降，使悬浮区域移动来生长单晶棒，其特征在于，具有：测量工序，当在结晶生...

技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是...

技术问题：本发明提供一种线锯的运转再开始方法，在使用了固定磨粒金属线的线锯进行的工件切断中，当再开始由于金属线的断线等异常而在途中中断的工件的切断时，不会因为金属线牵拉工件而发生锯线断线的情况。解决手段：一种线锯的运转再开始方法，该方法...

本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可...

本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗方法，该晶圆收纳容器具有收纳多个晶圆的容器主体、以及经由衬垫将该容器主体的开口部密闭的盖体，该方法具有将所述容器主体中的、在所述密闭时与所述衬垫接触的部分局部地清洗的步骤。由此，提供一种晶圆收纳容器的清洗...

本发明涉及半导体硅晶圆的清洗方法，该方法包含：研磨后的臭氧水处理步骤，将研磨后的半导体硅晶圆浸渍于臭氧水；进行第一超声波臭氧水处理的步骤，浸渍于臭氧水，并一边施加超声波一边在常温下进行清洗；以及进行第二超声波臭氧水处理的步骤，在进行第一...

准备晶片（S1），对所准备的晶片，从晶片的中心开始将圆周360度分割为既定个数的角度，并测量每个角度半径方向的各个位置的厚度形状（S2、S3）。将由测量机所得的每个角度的厚度形状以6次以上的多项式进行近似，进行晶片厚度相对于半径方向的位...

本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述...

本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序，所述控制方法的特征在于，在进行准备工序之前，具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷...