固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件制造技术

技术问题：本发明专利技术提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×10

【技术实现步骤摘要】
固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件
本专利技术涉及一种固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件。
技术介绍
固体摄像组件已经应用于以智能手机为首的行动设备。固体摄像组件通过PN结部的空乏层区域(光二极管)捕捉由光产生的载流子，从而将光信息转换成电子信息而获得影像(光电转换)。近年来，随着像素数的增加，通过将高速缓存设于光二极管附近，从而能够在短时间内获得多个图像，除了高画质之外，也能够拍摄以往难以捕捉的、每一个瞬间的照片。这是因为可在短时间内从光二极管读取数据。目前的问题在于残像特性。这是一种由于将因光电效应所产生的载流子捕获后，经过一定时间后再释放，因此由于该载流子的影响而造成看到影像残留的现象。在高功能化且短时间地获得多个数据时，如果存在该残像，则意味着之前的摄影数据的影响会残留。作为残像特性的原因，认为是基板中的硼与氧的复合体(参照非专利文献1、2及专利文献1、2)。另外，近年来对自动驾驶的期待提高，因此，LiDAR(激光雷达)作为传感器(眼)而受到注目。这是一种将红外线作为光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，/n所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×10

【技术特征摘要】
20191126 JP 2019-213288;20191223 JP 2019-2310781.一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，
所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×1014atoms/cm3以下。


2.根据权利要求1所述的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，
所述p型硅单晶基板中的晶格间氧浓度为1ppma以上15ppma以下。


3.一种固体摄像组件，具有光二极管部、内存部及运算部，其特征在于，
至少所述光二极管部形成于权利要求1或2所述的固体摄像组件用的硅单晶基板。


4.一种固体摄像组件用的硅磊晶晶圆，是在硅单晶基板的表面具有硅磊晶层的固体摄像组件用的硅磊晶晶圆，其特征在于，
所述硅磊晶层是主掺杂物为Ga的p型磊晶层，并且B...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部孝夫，大槻刚，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP