太阳能单电池和太阳能电池组件制造技术

太阳能单电池(10)包括：具有第1主面(21)和第2主面(22)的第1导电型的半导体基片(20)；配置于第1主面的第1导电型的第1半导体层(30)；和配置于第2主面的第2导电型的第2半导体层(40)，半导体基片(20)包含：第1导电型的第1杂质区域(23)；配置于第1杂质区域与第1半导体层之间的第1导电型的第2杂质区域(24)；和配置于第1杂质区域(23)与第2半导体层(40)之间的第1导电型的第3杂质区域(25)，第2杂质区域(24)的第1导电型的杂质浓度比第3杂质区域(25)的第1导电型的杂质浓度高，第3杂质区域(25)的第1导电型的杂质浓度比第1杂质区域(23)的第1导电型的杂质浓度高。

【技术实现步骤摘要】
太阳能单电池和太阳能电池组件
本专利技术涉及太阳能单电池和太阳能电池组件。
技术介绍
太阳能电池将清洁且无穷无尽地供给的太阳光直接转换为电能，所以作为新的能源备受期待。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2016/194301号
技术实现思路
专利技术要解决的课题具有要进一步提高太阳能电池的发电特性的期望。本专利技术的目的在于，提供具有提高了的发电特性的太阳能单电池和太阳能电池组件。用于解决课题的方法本专利技术的一个方式的太阳能单电池，包括：具有第1主面和背对上述第1主面的第2主面的第1导电型的半导体基片；配置在上述第1主面上的上述第1导电型的第1半导体层；和配置在上述第2主面上的、与上述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层，上述半导体基片包括：上述第1导电型的第1杂质区域；配置在上述第1杂质区域与上述第1半导体层之间的上述第1导电型的第2杂质区域；和配置在上述第1杂质区域与上述第2半导体层之间的上述第1导电型的第3杂质区域，上述第2杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度，比上述第3杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度高，上述第3杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度，比上述第1杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度高。另外，本专利技术的一个方式的太阳能单电池，包括：具有受光面和背面的第1导电型的半导体基片；配置在上述背面的第1区域上的上述第1导电型的第1半导体层；和配置在上述背面的与上述第1区域不同的第2区域上的、与上述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层，上述半导体基片包括：第1导电型的第1杂质区域；配置在上述第1杂质区域与上述第1半导体层之间的上述第1导电型的第2杂质区域；和配置在上述第1杂质区域与上述第2半导体层之间的上述第1导电型的第3杂质区域，上述第2杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度，比上述第3杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度高，上述第3杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度，比上述第1杂质区域的上述第1导电型的杂质浓度高。另外，本专利技术的一个方式提供一种太阳能电池组件，包括用多个配线件将多个太阳能单电池电串联连接而成的太阳能电池串，其中，上述多个太阳能单电池各自为上述记载的太阳能单电池。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供具有提高了的发电特性的太阳能单电池和太阳能电池组件。附图说明图1是表示实施方式1的太阳能单电池的结构的截面图。图2是表示实施方式1的太阳能单电池的结构的受光面侧的俯视图。图3是表示实施方式1的半导体基片的杂质浓度分布的图。图4是表示实施方式2的太阳能单电池的结构的截面图。图5是表示变形例1的半导体基片的杂质浓度分布的图。图6是表示变形例2的半导体基片的杂质浓度分布的图。图7是表示变形例3的半导体基片的杂质浓度分布的图。图8是表示实施方式3的太阳能电池组件的结构的截面图。图9是从受光面观察实施方式3的太阳能电池组件的俯视图。图10是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的图。具体实施方式以下，使用附图详细地说明本专利技术的实施方式的太阳能单电池和太阳能电池组件。以下说明的实施方式均表示本专利技术优选的一个具体例。因此，以下的实施方式中表示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置、连接方式和工序等为一例，不是限定本专利技术的意思。因此，以下的实施方式中的构成要素中，将表示本专利技术的最上位概念的独立权利要求中未记载的构成要素作为任意的构成要素进行说明。各图为示意图，未必严格地图示。另外，在各图中，对相同的构成部件标注相同符号。在本说明书中，太阳能单电池的“正面”是指与其相反侧的面即“背面”相比光能够更多地向内部入射的面(50％～100％的光从正面入射到内部)，也包含光从“背面”侧完全进入不到内部的情况。另外，太阳能电池组件的“正面”是指太阳能单电池的“正面”侧的光能够入射的面，太阳能电池组件的“背面”是指其相反侧的面。另外，“在第1部件上设置第2部件”等记载只要没有特别限定，就不仅仅是指第1和第2部件直接接触地设置的情况。即，该记载包含在第1和第2部件之间存在其它部件的情况。另外，就“大致＊＊”的记载而言，如果举出“大致相同”进行说明，则不仅包含完全相同，而且是还包括认为实质上相同的情况的意思。(实施方式1)[1.1实施方式1的太阳能单电池的结构]参照图1～图3说明实施方式1的太阳能单电池10的概略结构。图1是表示实施方式1的太阳能单电池10的结构的截面图。图2是表示实施方式1的太阳能单电池10的结构的受光面侧的俯视图。图3是表示实施方式1的半导体基片20的杂质浓度分布的图。图1是沿着图2的A-A’线的截面图。太阳能单电池10具有相互背向的受光面和背面。太阳能单电池10的受光面是指太阳光主要入射的面，背面是指与受光面背向的面。太阳能单电池10包括半导体基片20。半导体基片20具有相互背向的第1主面21和第2主面22。本实施方式中，对第1主面21为受光面侧的面，第2主面22为背面侧的面的情况的例子进行说明。半导体基片20通过接收光而生成载流子。在此，载流子是通过使半导体基片20吸收光而生成的电子和空穴。半导体基片20具有n型或者p型的第1导电型。为了提高入射光的利用效率，半导体基片20的第1主面21优选具有具有多个凹凸的纹理结构。另一方面，半导体基片20的第2主面22也可以具有具有多个凹凸的纹理结构，也可以是不具有纹理结构的平坦面。纹理结构的高度例如为1～20μm，优选为2～8μm。作为半导体基片20，例如，能够使用单晶硅基片或多晶硅基片等晶体硅基片。另外，作为半导体基片20，也能够使用晶体硅基片以外。例如，能够使用以锗(Ge)半导体基片、碳化硅(SiC)和硅锗(SiGe)为代表的IVB族-IVB族化合物半导体基片，或以砒化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和磷化铟(InP)为代表的IIIB族-VB族化合物半导体基片等的普通的半导体基片。本实施方式中，对使用单晶硅基片作为半导体基片20，第1导电型为n型，且与第1导电型不同的第2导电型为p型的情况的例子进行说明。半导体基片20的厚度例如为30μm～300μm，优选为50μm～150μm。另外，半导体基片20中，作为第1导电型的杂质，例如添加磷(P)、砷(As)或锑(Sb)等掺杂剂。半导体基片20的纹理结构是例如二维地排列将相当于半导体基片20的特定的面方位的面设为斜面的四棱锥的凹凸结构。通过对半导体基片20的第1主面21和第2主面22设置纹理结构，能够使入射于太阳能单电池10的光复杂地反射、衍射，提高入射的光的利用效率。太阳能单电池10在半导体基片20的第1主面21上具有与半导体基片20相同的导电型的第1导电型的第1半导体层30。另外，太阳能单电池10在半导体基片20的第2主面22上具有与半导体基片20不同的导电型的第2导电型的第2半导体层40。第1半导体层30通过表面场效应，能够抑制半导体基片20的第1主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：/n具有第1主面和背对所述第1主面的第2主面的第1导电型的半导体基片；/n配置在所述第1主面上的所述第1导电型的第1半导体层；和/n配置在所述第2主面上的、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层，/n所述半导体基片包括：/n所述第1导电型的第1杂质区域；/n配置在所述第1杂质区域与所述第1半导体层之间的所述第1导电型的第2杂质区域；和/n配置在所述第1杂质区域与所述第2半导体层之间的所述第1导电型的第3杂质区域，/n所述第2杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度，比所述第3杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度高，/n所述第3杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度，比所述第1杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度高。/n

【技术特征摘要】
20190326 JP 2019-0593931.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：
具有第1主面和背对所述第1主面的第2主面的第1导电型的半导体基片；
配置在所述第1主面上的所述第1导电型的第1半导体层；和
配置在所述第2主面上的、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层，
所述半导体基片包括：
所述第1导电型的第1杂质区域；
配置在所述第1杂质区域与所述第1半导体层之间的所述第1导电型的第2杂质区域；和
配置在所述第1杂质区域与所述第2半导体层之间的所述第1导电型的第3杂质区域，
所述第2杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度，比所述第3杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度高，
所述第3杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度，比所述第1杂质区域的所述第1导电型的杂质浓度高。


2.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：
具有受光面和背面的第1导电型的半导体基片；
配置在所述背面的第1区域上的所述第1导电型的第1半导体层；和
配置在所述背面的与所述第1区...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田和范，松山谦太，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP