太阳能单电池和太阳能电池组件制造技术

本发明专利技术提供一种具有改善了光电转换特性的异质结结构的太阳能单电池。太阳能单电池(1)包括：晶体类的硅基片(10)；形成在硅基片(10)的主面上的、含有磷作为杂质的P掺杂硅氧化物层(50)；非晶硅层(60)，其具有形成在P掺杂硅氧化物层(50)上的本征非晶硅层(61)、和形成在本征非晶硅层(61)上的含有p型掺杂剂的p型非晶硅层(62)。而且，本征非晶硅层(61)含有p型掺杂剂，本征非晶硅层(61)的厚度方向上的p型掺杂剂的浓度具有比P掺杂硅氧化物层(50)与本征非晶硅层(61)的界面上的p型掺杂剂的浓度高的分布。

【技术实现步骤摘要】
太阳能单电池和太阳能电池组件
本专利技术涉及太阳能单电池和太阳能电池组件。
技术介绍
现有技术中，作为将光能转换为电能的光电转换装置，太阳能单电池的开发不断进步。太阳能单电池能够将取之不尽的太阳光直接转换为电，此外，与采用化石燃料发电相比对环境的负担小而清洁，所以作为新型能源而备受关注。专利文献1公开了如下太阳能单电池，包括：n型晶体类半导体基片和形成于晶体类半导体基片的主面上的非晶半导体层，非晶半导体层具有从晶体类半导体基片与非晶半导体层的界面附近沿着膜厚方向逐渐减小的p型掺杂剂密度分布，该p型掺杂剂密度分布在峰部与底部之间具有两处变化点。根据该结构，由于能够改善填充因数(FF)，所以光电转换特性升高。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-219854号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在太阳能单电池中，希望进一步改善光电转换特性。因此，本专利技术是为解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种具有改善了光电转换特性的异质结结构的太阳能单电池和太阳能电池组件。用于解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术的一个方式的太阳能单电池包括：晶体类的硅基片；形成在上述硅基片的主面上的、含有磷作为杂质的磷掺杂层；和非晶硅层，其具有形成在上述磷掺杂层上的本征非晶硅层、和形成在上述本征非晶硅层上的含有p型掺杂剂的p型非晶硅层，上述本征非晶硅层含有上述p型掺杂剂，上述本征非晶硅层的厚度方向上的上述p型掺杂剂的浓度，具有比上述磷掺杂层与上述本征非晶硅层的界面上的上述p型掺杂剂的浓度高的分布。为了实现上述目的，本专利技术的一个方式的太阳能电池组件包括：配置成二维状的、权利要求1～5中任一项上述的多个太阳能单电池；配置于上述多个太阳能单电池的正面侧的正面保护部件；配置于上述多个太阳能单电池的背面侧的背面保护部件；配置在上述多个太阳能单电池与上述正面保护部件之间的正面填充部件；和配置在上述多个太阳能单电池与上述背面保护部件之间的背面填充部件。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种具有改善了光电转换特性的异质结结构的太阳能单电池和太阳能电池组件。附图说明图1是实施方式的太阳能电池组件的概略俯视图。图2是实施方式的太阳能电池组件的列方向上的结构截面图。图3是实施方式的太阳能单电池的俯视图。图4是表示实施方式的太阳能单电池的层叠结构的示意截面图。图5是表示本征非晶硅层的厚度方向上的硼浓度分布的一例的曲线图。图6是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的一例的流程图。图7是用于对实施方式的太阳能单电池的制造方法的一例进行说明的示意图。图8是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的另一例的流程图。图9是用于对实施方式的太阳能单电池的制造方法的另一例进行说明的示意图。图10是表示本征非晶硅层的厚度方向上的硼浓度分布的另一例的曲线图。附图标记说明1太阳能单电池10硅基片60非晶硅层61、161本征非晶硅层50P掺杂硅氧化物层(磷掺杂层)62p型非晶硅层100太阳能电池组件170A正面填充部件170B背面填充部件180A正面保护部件180B背面保护部件具体实施方式下面，利用附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式均表示本专利技术的一个具体例。因此，以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置、连接方式、工序(步骤)、和工序(步骤)的顺序等为一例，并非旨在限定本专利技术。因而，关于以下实施方式的构成要素中的、未记载于独立权项的构成要素，都作为任意构成要素进行说明。另外，各图都是示意图，不一定被严密地图示。此外，在各图中，有对实质上相同的结构标注相同的符号，并省略或简化重复的说明的情况。在本说明书中，太阳能单电池的“正面”是指与其相反侧的面即“背面”相比光能够更多地向内部入射的面(50％～100％的光从正面入射到内部)，也包含光从“背面”侧完全进入不到内部的情况。另外，太阳能电池组件的“正面”是指能够使与太阳能单电池的“正面”相对的一侧的光入射的面，“背面”是指其相反侧的面。另外，“在第1部件上设置第2部件”等记载只要没有特别限定，就不仅仅是指第1和第2部件直接接触地设置的情况。即，该记载包含在第1和第2部件之间存在其它部件的情况。另外，在本说明书中，平行等表示要素间的关系性的术语、和正方形等表示要素的形状的术语、以及数值和数值范围都不是仅表示严格意义上的意思的表达，而是也包含实质上同等的范围例如几％左右的差异的意思的表达。此外，在各图中，Z轴方向是例如与太阳能单电池的受光面垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是相互正交，且都与Z轴方向正交的方向。例如，在以下实施方式中，“俯视”是指从Z轴方向观察的意思。(实施方式)下面，参照图1～图9对本实施方式的太阳能单电池和太阳能电池组件进行说明。[1.太阳能电池组件的结构]首先，参照图1对太阳能电池组件的结构进行说明。图1是本实施方式的太阳能电池组件100的概略俯视图。另外，图2是本实施方式的太阳能电池组件100的列方向的结构截面图。具体地说，图2是图1的太阳能电池组件100的II-II截面图。如图1所示，太阳能电池组件100包括多个太阳能单电池1、引片配线120、跨接配线130和框体150。另外，如图2所示，太阳能电池组件100还包括：正面填充部件170A、背面填充部件170B、正面保护部件180A和背面保护部件180B。太阳能单电池1是二维状地配置于受光面，通过光照射而产生电力的平板状的光伏单电池。引片配线120是将在列方向上相邻的太阳能单电池1电连接的配线部件。引片配线120例如是带状的金属箔。引片配线120例如可通过将用焊锡或银等包覆了铜箔、银箔等金属箔的整个表面的箔切成规定长度的长条状来制作。跨接配线130是连接太阳能电池串彼此的配线部件。另外，太阳能电池串是配置于列方向且通过引片配线120而连接的多个太阳能单电池1的集合体。框体150是覆盖二维排列有多个太阳能单电池1的面板的外周部的外框部件。另外，也可以在相邻的太阳能单电池1之间配置光扩散部件。由此，能够将入射到太阳能单电池1之间的间隙区域中的光再次分配给太阳能单电池1，所以太阳能单电池1的聚光效率提高。因而，能够提高太阳能电池组件100整体的光电转换效率。如图2所示，在列方向上相邻的两个太阳能单电池1中，配置于一个太阳能单电池1的正面的引片配线120也配置于另一个太阳能单电池1的背面。更具体地说，引片配线120的一端部的下表面与一个太阳能单电池1的正面侧的主栅线电极接合，引片配线120的另一端部的上表面与另一个太阳能单电池1的背面侧的主栅线电极接合。引片配线120和主栅线电极例如用导电性粘接剂接合。作为导电性粘接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：/n晶体类的硅基片；/n形成在所述硅基片的主面上的、含有磷作为杂质的磷掺杂层；和/n非晶硅层，其具有形成在所述磷掺杂层上的本征非晶硅层、和形成在所述本征非晶硅层上的含有p型掺杂剂的p型非晶硅层，/n所述本征非晶硅层含有所述p型掺杂剂，/n所述本征非晶硅层的厚度方向上的所述p型掺杂剂的浓度，具有比所述磷掺杂层与所述本征非晶硅层的界面上的所述p型掺杂剂的浓度高的分布。/n

【技术特征摘要】
20190325 JP 2019-0568831.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：
晶体类的硅基片；
形成在所述硅基片的主面上的、含有磷作为杂质的磷掺杂层；和
非晶硅层，其具有形成在所述磷掺杂层上的本征非晶硅层、和形成在所述本征非晶硅层上的含有p型掺杂剂的p型非晶硅层，
所述本征非晶硅层含有所述p型掺杂剂，
所述本征非晶硅层的厚度方向上的所述p型掺杂剂的浓度，具有比所述磷掺杂层与所述本征非晶硅层的界面上的所述p型掺杂剂的浓度高的分布。


2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：
所述分布在从所述界面起的所述非晶硅层的厚度的20％以上且50％以下的范围具有极大点。


3.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：上山知纪，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP