太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板技术

本发明专利技术是一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤：制作单晶硅棒；由前述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对前述硅基板进行低温热处理；并且，在进行前述低温热处理前，以1200℃以上的温度对前述单晶硅棒或前述硅基板进行30秒以上的高温热处理。由此，提供一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板即使当基板的氧浓度较多时，也可以抑制基板的少数载流子寿命下降。

Manufacturing method of substrate for solar cell and substrate for solar cell

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板本申请是申请日为2015年11月25日、申请号为201580072513.6、专利技术名称为“太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板。
技术介绍
通常的太阳能电池，在使用p型硅基板时，电极是利用以银膏为材料的丝网印刷法形成，另外，抗反射膜是利用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)形成SiNx膜，并且，发射极层(n型扩散层)是利用热扩散来形成(例如，参照专利文献1)。此热扩散是利用由POCl3所实施的气相扩散、或者磷酸基料的涂布扩散所形成，并对基板施加800℃左右的热。而且，当形成硼扩散层作为BSF层以提高效率时，需要对基板施加1000℃左右的热。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-076388号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，如果在如上所述的热扩散和在基板表面形成氧化膜时，如果对单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其含有形成于受光面的受光面电极、形成于背面的背面电极、和掺杂镓的直拉单晶硅基板，所述太阳能电池的特征在于，/n所述直拉单晶硅基板含有12ppm以上的氧原子；/n所述太阳能电池的电致发光图像中，观察不到漩涡状的由氧引起的缺陷。/n

【技术特征摘要】
20150105 JP 2015-0005541.一种太阳能电池，其含有形成于受光面的受光面电极、形成于背面的背面电极、和掺杂镓的直拉单晶硅基板，所述太阳能电池的特征在于，
所述直拉单晶硅基板含有12ppm以上的氧原子；
所述太阳能电池的电致发光图像中，观察不到漩涡状的由氧引起的缺陷。


2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述直拉单晶硅基板含有17～18ppm的氧原子。


3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述受光面具有受光面抗反射膜和发射极层，所述背面具有背面抗反射膜和背面电场层，
所述受光面电极贯穿所述受光面抗反射膜与所述发射极层电性连接，
所述背面电极贯穿所述背面抗反射膜与所述背面电场层电性连接。


4.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述受光面具有受光面抗反射膜和发射极层，所述背面具有背面抗反射膜和背面电场层，
所述受光面电极贯穿所述受光面抗反射膜与所述发射极层电性连接，
所述背面电极贯穿所述背面抗反射膜与所述背面电场层电性连接。


5.如权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述背面电场层是铝扩散层...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚宽之，白井省三，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP