一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以减少掺杂表面的损伤。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底；在硅基底上形成保护膜；在保护膜上形成掺杂源层；掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；采用热处理的方式将掺杂源层中的掺杂元素穿过保护膜推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。本发明专利技术提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
制作太阳能电池的工艺主要包括：制绒、掺杂、清洗、沉积减反射膜、测试、分选等。其中，掺杂工艺可以是在硅基底表面形成掺杂源，然后进行退火推进。当采用掺杂源涂布推进的方式进行掺杂工艺时，被掺杂表面容易受到损伤，从而影响太阳能电池的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，以减少掺杂表面的损伤。第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底；在硅基底上形成保护膜；在保护膜上形成掺杂源层；掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；采用热处理的方式将掺杂源层中的掺杂元素穿过保护膜推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。采用上述技术方案时，在拟进行掺杂的硅基底上形成保护膜，随后在保护膜上形成掺杂源层。一方面，保护膜可以阻隔掺杂源层和硅基底直接接触，从而可以避免掺杂源层对硅基底的腐蚀、破坏，确保所制作的太本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一硅基底；/n在所述硅基底上形成保护膜；/n在所述保护膜上形成掺杂源层；所述掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；/n采用热处理的方式将所述掺杂源层中的掺杂元素穿过所述保护膜推进到硅基底中，以对所述硅基底进行掺杂。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一硅基底；
在所述硅基底上形成保护膜；
在所述保护膜上形成掺杂源层；所述掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；
采用热处理的方式将所述掺杂源层中的掺杂元素穿过所述保护膜推进到硅基底中，以对所述硅基底进行掺杂。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜为本征半导体膜。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜的材料包括硅、碳化硅、锗中的至少一种；和/或，
所述保护膜的材料包括非晶半导体材料、多晶半导体材料、纳米晶半导体材料、微晶半导体材料中的至少一种。


4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜的形成工艺包括低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。


5.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂溶液含有乙醇，所述乙醇的质量分数为2％～30％；所述掺杂源层的形成方式为涂覆方式。


6.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，
所述掺杂剂浆料含有的掺杂剂质量分数为0.01％～10％；所述掺杂源层的形成方式为涂布方式、印刷方式、转印方式中至少一种。


7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂浆料还含有纳米硅粉，所述纳米硅粉的质量分数为10％～80％，所述纳米硅粉的粒径为5nm～500nm，和/或，
所述掺杂剂浆料还含有氧化硅，所述氧化硅的质量分数为10％～80％，所述氧化硅的粒径为5nm～500nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32