化合物半导体外延片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种以低成本改善了结晶性并提升了亮度的化合物半导体外延片及其制造方法。所述化合物半导体外延片在由GaM构成的单晶基板(M为P或As)和由GaA

【技术实现步骤摘要】
化合物半导体外延片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种化合物半导体外延片及其制造方法，更详细而言，涉及一种具有混晶率变化层的化合物半导体外延片及其制造方法。

技术介绍

[0002]为了制造以红色发光二极管为首的橙色或黄色发光二极管而使用化合物半导体外延片，该化合物半导体外延片在磷化镓GaP或砷化镓GaAs的单晶基板上形成有混晶率恒定层，该混晶率恒定层由不构成该单晶基板的、作为III
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V族化合物半导体的砷化镓GaAs或磷化镓GaP分别符合恒定的混晶率(1
‑
a)和a的磷砷化镓GaAs
(1
‑
a)
P
a
(其中，a为满足0≤a≤1的实数)构成。
[0003]发光二极管的发光波长依混晶率a而定，例如单晶基板为磷化镓GaP时，用于黄色发光的a＝0.9、用于橙色的a＝0.67、用于红色的a＝0.57。
[0004]另外，当由磷化镓GaP或砷化镓GaAs等化合物半导体单晶基板构成的基板与形成在该基板上的GaAs
(1
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体外延片，其在由GaM构成的单晶基板和由GaA
(1
‑
a)
M
a
构成的混晶率恒定层之间，包含由GaA
(1
‑
x)
M
x
构成的混晶率变化层，其中，M为P或As、A为P或As、M与A不同，且0≤a≤1、0≤x≤1，所述化合物半导体外延片的特征在于，所述混晶率变化层具有由所述A的混晶率增加部和所述A的混晶率减少部构成的多个阶梯，该多个阶梯各自的厚度为2～4μm，在所述混晶率变化层中形成有5～19个所述阶梯，在各个所述阶梯之间，所述A的混晶率从所述单晶基板向所述混晶率恒定层增加。2.根据权利要求1所述的化合物半导体外延片，其特征在于，所述阶梯各自的厚度为2～3μm，在所述混晶率变化层中形成有8～12个所述阶梯。3.一种化合物半导体外延片的制造方法，其为在由GaM构成的单晶基板和由GaA
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【专利技术属性】
技术研发人员：篠原政幸，酒井健滋，高桥雅宣，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：