本发明是一种多晶硅填充作业用的清洁室，其用于向石英坩埚内填充多晶硅，清洁室被顶板面、侧面、以及底面密闭，并具有：出入口，其配置于侧面；风扇/过滤器装置，其配置于顶板面；以及排气口，其配置于侧面的下部，清洁室具有控制机构，控制机构进行控制...

本发明的目的在于提供一种便利性良好，防止离子注入缺陷残留的半导体器件的形成方法。本发明为了达成上述目的而完成，提供一种半导体器件的形成方法，其至少具有在硅基板表面进行碳或含碳分子的离子注入A的工序、与进行掺杂剂的离子注入B的工序，并包含...

本发明为一种晶圆的处理装置，其具备能够在腔室内旋转的台及配置在该台上的多个保持销，由该多个保持销保持晶圆的周缘部，且一边使该晶圆旋转一边进行清洗及/或干燥处理，其特征在于，所述多个保持销中的一个以上的保持销是可驱动的，并对所述晶圆按压而...

本发明涉及一种工件的切断方法，其通过线锯(1)进行，通过将固定磨粒金属线(2)卷绕至多个带沟滚轮(3、3’)而形成金属线列(12)，并通过一边使所述固定磨粒金属线(2)在轴向上往复移动，一边将工件(W)向所述金属线列(12)切入进给，从...

本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于，所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单...

本发明为一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。由此，提供一种即使减少研磨步骤也能抑制表面缺陷的增加...

本发明提供一种晶圆清洗处理装置，其将晶圆保持于配置在腔体内且能够旋转的台座之上，一边使所述晶圆旋转一边通过药液对所述晶圆进行清洗处理，其特征在于，所述腔体具备向腔体内供给气体的供气部及将气体排出的排气部；所述晶圆清洗处理装置包括：杯部，...

一种单晶硅提拉装置，提高整流筒的密封性并降低单晶硅中的氧浓度。其具备：外筒，其以同心地包围提拉的单晶硅的方式配置于硅熔液上，且具有窗孔；内筒，其配置于所述外筒的内侧，且具有与所述窗孔对应的窗部；以及窗玻璃，其安装于所述窗部，并覆盖所述窗...

本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心...

本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命...

本发明提供一种工件切断方法，其通过线锯进行，通过将表面固着有磨粒的固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，通过一边使所述固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向所述金属线列切入进给，从而将所述工件在轴向排列的多个位置同时切断...

本发明提供一种线锯装置，其具备：多个金属线引导部；金属线列，由卷绕于所述多个金属线引导部并沿轴向往返移动的金属线形成；喷嘴，向所述金属线供给冷却剂或浆料；工件保持部，将经由梁而粘接有工件的工件板悬挂并保持；以及工件进给机构，将所述工件按...

本发明为一种双面研磨方法，是晶圆的双面研磨方法，其在双面研磨装置中，将晶圆保持于形成在载体上的工件保持孔并利用分别贴附有研磨垫的上平台及下平台夹持该晶圆，并一边将浆料从该上平台所具有的供给孔以压送方式供给至研磨面一边进行双面研磨，其中，...

本发明是一种控制载流子的复合寿命的单晶硅基板的分选方法，其特征在于，具有：准备工序，由利用悬浮区熔法生长的单晶硅锭制作并准备作为单晶硅基板的候补的单晶硅基板；粒子束照射工序，向准备的单晶硅基板照射粒子束；测量工序，在粒子束照射工序后的单...

本发明为一种半导体型荧光体，其特征在于，所述半导体型荧光体通过注入激发光而进行光致发光，所述半导体型荧光体包含：至少一层由化合物半导体构成，且含有n型掺杂剂或p型掺杂剂的活性层；及至少两层由化合物半导体构成，且带隙比所述活性层大的阻挡层...

提供一种利用基础氧化法进行的贴合SOI晶圆的制造方法，其能够抑制滑移位错的发生并抑制基础晶圆的氧析出物的形成。该贴合SOI晶圆的制造方法的特征在于，具有：准备初始间隙氧浓度在15ppma(’79ASTM)以上的单晶硅晶圆作为基础晶圆的工...

本发明提供一种单晶硅的培育方法，其为利用CZ法培育高电阻率单晶硅的方法，该培育方法中，培育所述单晶硅时，计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值，以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式，设定培育条件以控制...

本发明提供一种外延晶片的制造方法，准备背面经研磨的硅半导体基板，将所准备的基板洗净后，将多片基板作为1批次放入到基板保管部2。使基板保管部2的气氛中的NO

本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；...

本发明为一种复合寿命的控制方法，其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序；粒子束照射工序；及热处理工序，控制所述硅基板的载流子的复合寿命，所述控制方法的特征在于，在进行所述准备工序之前，预先取得测定的复合寿命与氮浓度的相互关...