【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体型荧光体
本专利技术涉及一种转换光的波长的半导体型荧光体，特别是涉及一种用于将蓝色的光效率良好地转换为红色的半导体型荧光体。
技术介绍
通常，使用于白色LED的荧光体有YAG系、SiAlON(硅铝氮氧化物)系。然而，对制作白色LED时的蓝色光进行波长转换时，以往的荧光体总是会发出强烈蓝光(图1)。作为红色荧光体，虽有氮化物系的CASN等得到了实用，但由于发光波形较宽、以及难以控制波长，因而在制造RGB型的白色LED时存在问题。制造显色性高的RGB型的白色LED时，荧光体的发光光谱幅度窄时较为有利，但一般的荧光体的发光中，红色光谱的幅度尤为宽广，存在改善的余地(图2)。另外，不论荧光体的波长范围(蓝、绿、红)如何，该问题是现有荧光体所共有的问题。此外，近年来对量子点(QuantumDot)等进行了研究。然而，以量子点等的量子尺寸效应转换波长时，尺寸依赖性较大，难以控制荧光波长。因而，就现有技术而言，荧光体、特别是红色附近的荧光体有大幅的改善余地。此外，专利文献1提出了将层叠有化合物半导体的结构用作荧光体。...
【技术保护点】
1.一种半导体型荧光体，其特征在于，所述半导体型荧光体通过注入激发光而进行光致发光，所述半导体型荧光体包含：至少一层由化合物半导体构成，且含有n型掺杂剂或p型掺杂剂的活性层；及至少两层由化合物半导体构成，且带隙比所述活性层大的阻挡层，所述活性层与所述阻挡层交替层叠。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171109 JP 2017-2160851.一种半导体型荧光体，其特征在于，所述半导体型荧光体通过注入激发光而进行光致发光，所述半导体型荧光体包含：至少一层由化合物半导体构成，且含有n型掺杂剂或p型掺杂剂的活性层；及至少两层由化合物半导体构成，且带隙比所述活性层大的阻挡层，所述活性层与所述阻挡层交替层叠。
2.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：樋口晋，酒井健滋，山田雅人，高桥雅宣，石崎顺也，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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