硅晶圆的制造方法技术

本发明专利技术为一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。由此，提供一种即使减少研磨步骤也能抑制表面缺陷的增加并且改善平坦度的硅晶圆的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅晶圆的制造方法
本专利技术涉及一种硅晶圆的制造方法。
技术介绍
使用硅的半导体装置随着其细微化的进展，对于作为基板的硅晶圆，寻求兼顾对更细微的表面缺陷的抑制及平坦度的高维度。如图5所示，通常，将通过例如直拉(CZ)法而提拉的单晶锭予以切片后，进行抛光等研削，之后进行多段研磨而制作硅晶圆(参考专利文献1)。对于表面缺陷的抑制及平坦性而言，晶圆研磨步骤非常重要。例如，在研磨步骤中会有产生刮痕等表面缺陷的情况，该缺陷根据研磨条件还会具有1μm以上的深度。另外，已知平坦性由于研磨时的施加于晶圆的压力分布的不均一性而受损。一般而言，以多段进行硅晶圆的研磨。在此所谓的多段是指使用不同的研磨布及磨粒的粗细度进行的研磨步骤。一般而言，硅晶圆通过二段以上的研磨步骤进行加工，随着段数的增加，使用软质的研磨布及颗粒细的磨粒。另外，通过进行多段研磨，使得在该研磨步骤中引入的缺陷的深度逐渐变浅。在该多段研磨步骤中，只要没有满足“在任意的研磨步骤中引入的缺陷的最大深度<之后的研磨步骤的总加工余量”的不等式，则在任意的研磨步骤中引入的缺陷会残本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，/n在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180322 JP 2018-053823;20180808 JP 2018-1497011.一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，
在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。


2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：大关正彬，五十岚健作，阿部达夫，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP