工件的切断加工方法及工件的切断加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于，所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ

【技术实现步骤摘要】
工件的切断加工方法及工件的切断加工装置
本专利技术涉及工件的切断加工方法及工件的切断加工装置。
技术介绍
近年来，要求晶圆的大型化(大口径化)，伴随着该大型化，专门使用线锯进行铸块的切断(例如专利文献1)。线锯是一边使线(高张力钢线)高速行进并将浆料淋于该线，一边压抵工件(例如可列举硅、玻璃、陶瓷等脆性材料的铸块。下文也有仅称为铸块的情况)进行切断，从而同时切出多个晶圆的切断装置。在通过线锯进行的切断中，首先，通过工件保持器将进行切断的工件保持，该工件保持器具有经由垫板保持工件的工件板、及支撑工件板的保持器主体。接着，将保持有工件的工件保持器装设于线锯，并将工件W压抵于将沿轴向往复行进的线卷绕于多个有槽辊而形成的线列，从而将工件W切断成晶圆状。线锯沿工件保持器的垂线方向切断工件。另外，形成线列的各线与工件保持器大致正交。在从如半导体单晶硅那样的具有结晶取向(結晶方位)的圆柱状铸块(下文称为“工件”)切出晶圆时，以工件的结晶面为基准来实施切断。通常，在圆柱状工件的中心轴(工件形状意义上的轴)与结晶轴取向(结晶面法线)之间产生偏移，需要修正该偏移来进行切断(专利文献1、2)。结晶轴取向的修正方法已知有以下的方法。(1)在经由垫板将工件贴附至向线锯安装的夹具时，使工件旋转来调整Y轴向的取向，并以向工件保持器的贴附角度来对X轴向进行取向调整(称为“X-θ方式”)。(2)将贴附有工件的工件保持器安装于线锯后，在线锯内部调整取向(称为“内部作业X-Y倾斜方式”)。(3)在经由垫板将工件贴附至向线锯安装的夹具时，通过使用特殊的夹具来进行Y轴向的倾斜调整，并以向工件保持器的贴附角度来对X轴向进行取向调整(称为“外部作业X-Y倾斜方式”)。另外，已知对具有轴取向<100>以外的例如轴取向<111>的工件进行切片时，切出的晶圆的表面背面的(由于加工阻力差产生的)损伤差会根据将工件切片时的切断方向(线的切入方向)而变化，切片质量(主要为Warp值)会大幅变动(参照专利文献3)。此外，在图4中示出Warp的定义。Warp是与晶圆从中心线面的偏移相关的形状参数，是未吸附固定的晶圆的假想中央面与基准平面的面内最大距离。图中的Bow是与Warp类似的评价，是晶圆的中心与基准平面的距离的形状参数。此外，测定方法通过JEIDA-43-1999、ASTMF1530-94规定。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开平11-48238号公报专利文献2：日本专利公开2017-24145号公报专利文献3：日本专利公开2014-195025号公报
技术实现思路
(一)要解决的技术问题因此，如前述(1)X-θ方式那样，在通过使工件旋转来调整工件的Y轴向的结晶取向时，在切片质量大幅恶化的方向是切断方向的情况下，改变取向的目标来进行切断。例如，以往，在规格的容许范围内错开后进行切断。然而，由于当取向规格严格时，无法进行改变该取向的目标的调整，因此通常的线锯无法切断良品，而使用能够以X-Y倾斜方式(前述的(2)、(3))进行调整的装置或能够以X-Y倾斜方式进行调整的特殊夹具以进行切断。但是，对应于专利文献2记载的X-Y倾斜方式的线锯普遍存在价格高、需要通过内部作业来进行取向对准、且装置生产率低的问题。另外，在以专利文献2记载的X-Y倾斜方式进行的调整中，当规格为向Y方向大幅倾斜时，根据工件的位置，切入量的差会增大，从而还存在无法获得稳定的Warp值的问题。本专利技术为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种工件的切断加工方法及工件的切断加工装置，其即使在以Warp值大幅恶化的方向为工件的切断方向时，也能够不使用高成本的X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具，而是以X-θ方式的线锯装置来实现Warp值恶化较少的切断。(二)技术方案本专利技术为了实现上述目的而完成，提供一种切断加工方法，其是工件的切断加工方法，设置多个线引导部，所述多个线引导部隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽，由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成线列，并排设置n个(n≧2)铸块作为进行切断的多个工件，一边使所述线引导部旋转而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，其特征在于，所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。根据该切断加工方法，能够使用X-θ方式的线锯装置来提高生产率并抑制Warp值的恶化而不使用高成本的X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具。此时，切断加工方法可以是，以所述多个工件各自的θ并非全部为正或负的方式设定各铸块的切断方向以进行切断。由此，能够更有效地抑制Warp值的恶化。此时，切断加工方法可以是，将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°、更优选地为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。由此，能够更有效地抑制Warp值的恶化。此时，切断加工方法可以是，将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为0°≦θ1≦30°的范围，使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，将用线切断所述第二铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ在设定为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断。由此，能够更可靠地抑制Warp值的恶化。此时，切断加工方法可以是，将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为-30°≦θ1≦30°的范围，使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，以进行切断。由此，能够更可靠地抑制Warp值的恶化。此时，切断加工方法可以是，在所述第一铸块或所述第二铸块中，将所述第二铸块的长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切断加工方法，是工件的切断加工方法，设置多个线引导部，所述多个线引导部隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽，/n由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成线列，/n并排设置n个(n≧2)铸块作为进行切断的多个工件，/n一边使所述线引导部旋转从而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，/n其特征在于，/n所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，/n并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，/n以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：/n将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ

【技术特征摘要】
20190301 JP 2019-0379681.一种切断加工方法，是工件的切断加工方法，设置多个线引导部，所述多个线引导部隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽，
由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成线列，
并排设置n个(n≧2)铸块作为进行切断的多个工件，
一边使所述线引导部旋转从而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，
其特征在于，
所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，
并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，
以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：
将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°，其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°。


2.根据权利要求1所述的切断加工方法，其中，
以所述多个工件各自的θ并非全部为正或负的方式设定各铸块的切断方向以进行切断。


3.根据权利要求1所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°以进行切断。


4.根据权利要求2所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°以进行切断。


5.根据权利要求1所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。


6.根据权利要求2所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。


7.根据权利要求3所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。


8.根据权利要求4所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为0°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，将用线切断所述第二铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ2设定为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断。


10.根据权利要求1至8中任一项所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为-30°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，以进行切断。


11.根据权利要求9所述的切断加工方法，其特征在于，
在所述第一铸块或所述第二铸块中，将所述第二铸块的长度及直径设定为所述第一铸块的长度及直径以上。


12.根据权利要求10所述的切断加工方法，其特征在于，
在所述第一铸块或所述第二铸块中，将所述第二铸块的长度及直径设定为所述第一铸块的长度及直径以上。


13.一种工件的切断加工装置，包含：
多个线引导部，其隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽；
线列，其由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成；
n个工件保持部，其分别对作为进行切断的多个工件使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原贤二，川上宪秀，栗本宏高，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP