本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端...

本发明为一种研磨装置，包含黏贴有研磨晶圆的研磨布的平台及支承并同时得以旋转晶圆且得以在施加研磨载重至晶圆的同时将之推抵至研磨布的多个研磨头，在使研磨头旋转的同时将以研磨头所支承的晶圆推抵至研磨布而研磨，该研磨装置的特征在于，多个研磨头中...

本发明提供一种发光组件的制造方法，为减低将发光组件自具有晶格不匹配系窗层兼支承基板的半导体基板，透过刻划及劈裂予以分离时的劈裂不良率，在基板以晶格匹配系材料磊晶出第一半导体层、活性层及第二半导体层而形成发光层部，以与发光层部为晶格不匹配...

公开了一种通过彼此贴合其间具有绝缘膜的接合晶圆和基底晶圆而制造贴合式SOI晶圆的方法，所述接合晶圆和基底晶圆每个由单晶硅制成。所述方法包括：在基底晶圆贴合面侧堆积多晶硅层的步骤；研磨多晶硅层表面而得到研磨面的步骤；在研磨面形成热氧化膜的...

提供一种方法，其能够评价由相对晶片外表面的外延反应或蚀刻反应而产生的晶片内表面的凹凸部是因沉积反应和蚀刻反应中的哪者而产生的。准备SOI晶片（S1），测定SOI晶片的SOI层的厚度（S2）。按照SOI层朝向基座侧的方式，将SOI晶片上下...

本发明为一种线锯装置，包含：伸出钢线的钢线供给轴盘、通过螺旋状缠绕于多个钢线导线器的周围的钢线而形成的钢线列、卷收钢线的钢线卷收轴盘、以及将切断目标的工件予以支承的工件支承部，此外于将被工件支承部所支承的工件予以推压至以至少重复前进后退...

本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，相较以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升，其于基板上形成n型磊晶层、p型磊晶层，其中，n型磊晶层及p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，n型磊晶层的形成具有形成化合物半导体组成为固...

外延晶片的制造方法包括准备工艺和生长工艺。在准备工艺中，准备掺杂有红磷的低电阻率基板W。基板W中添加5×10

本发明提供一种贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：于基底晶圆堆积多晶硅层；研磨多晶硅层得到研磨面；于接合晶圆形成绝缘膜；透过绝缘膜将多晶硅层的研磨面与接合晶圆予以贴合；将接合晶圆薄膜化，其中用100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底...

本发明是一种模板组件的选别方法，包含：准备步骤，准备模板组件，为在底环或底板上同心贴合有模板，模板具有支承工件的里面的背垫以及位于背垫上而用以支承工件的边缘部的保持环，底环及底板具有较模板大的外径；测定步骤，在模板组件的模板侧，对于以底...

本发明提供一种能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。该研磨方法以支承板而支承被研磨物，将支承被研磨物的支承板予以装备至研磨头，研磨头配置于研磨装置，通过研磨头将被支承板所支承的被研磨物以指定的压力...

本发明涉及一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在其内侧配置石英坩埚，并从石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，在石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在石墨坩埚的...

本发明提供一种线锯装置的制造方法，该线锯装置包括钢线供给轴盘、长型辊、导线器、钢线卷收轴盘及被控制而在经设定的控制角度±A(°)内动作并且对该钢线赋予张力的张力臂，该线锯装置的制造方法包括下列步骤：测定该长型辊的表面粗糙度Rmax；自该...

本发明涉及一种半导体晶圆的洗净方法，使用含有SC‑2溶液的药液槽而洗净半导体晶圆，该洗净方法使用多个该药液槽，且在该多个药液槽所含有的SC‑2溶液之中，最后使用的药液槽所含有的SC‑2溶液中的HCl浓度为最低，而洗净该半导体晶圆。由此提...

本发明提供一种双面研磨装置用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、分别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载...

技术问题：本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，在将外延晶圆用于接合晶圆或者基底晶圆的情况下，能够制造平台宽度较小的贴合晶圆。解决手段：一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子从而在晶圆...

气相生长装置（1）包括基座（3）；升降销（5）和支承环（6）。基座（3）具有贯穿表面与背面的通孔（3b），能够围绕轴线（O）而旋转。升降销（5）插入通孔（3b）中。支承环（6）包括环部（6a）和板状部件（6b），在环部（6a）和板状部件...

本发明提供用于保管及管理单晶提拉装置中使用的再装填管的再装填管储料器，其特征在于，具有：进行再装填管向再装填管储料器内入库及再装填管从再装填管储料器内出库的入出库部；对再装填管进行保管的保管手段；将原料填充于再装填管内的原料填充手段；对...

本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜...

本发明提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研...