Technical problem: The invention provides a method for fabricating a bonded wafer, in which an epitaxial wafer is used for bonding a wafer or a substrate wafer, a bonded wafer with a smaller platform width can be fabricated. Solution: A method of fabricating bonded wafers by implanting hydrogen ions, at least one of the rare gas ions, onto the surface of the bonded wafer to form an ion implantation layer within the wafer, directly or through an insulating film to bond the bonded wafer to the surface and substrate of the ion implantation. A bonded wafer with a thin film on the substrate wafer is fabricated after the surface of the wafer is peeled off by the ion implantation layer, wherein the epitaxial wafer is used as at least one side of the bonded wafer and the substrate wafer, and the epitaxial wafer is formed by rotational cleaning of the single wafer. Cleaning before epitaxial layer.
【技术实现步骤摘要】
贴合晶圆的制造方法以及贴合晶圆
本专利技术涉及一种贴合晶圆的制造方法以及贴合晶圆。
技术介绍
作为SOI晶圆的制造方法，尤其是使尖端集成电路的高性能化成为可能的薄膜SOI晶圆的制造方法，将在贴合进行了离子注入的晶圆后进行剥离来制造SOI晶圆的方法(离子注入剥离法：也称为智能剥离法(注册商标)的技术)备受关注。该离子注入剥离法是如下所述的技术，即，在两张硅晶圆中的至少一方上形成绝缘膜(尤其是氧化膜)，并且从一方的硅晶圆(接合晶圆)的上表面注入氢离子或者稀有气体离子等气体离子，使该晶圆内部形成微小气泡层(封入层)后，使注入了该离子的一方的面隔着绝缘膜(尤其是氧化膜)与另一方的硅晶圆(基底晶圆)紧贴(贴合)，然后施加热处理(剥离热处理)而使微小气泡层作为劈开面呈薄膜状来剥离一方的晶圆(接合晶圆)，再施加热处理(结合热处理)来牢固地结合从而做成SOI晶圆(参照专利文献1)。在该阶段中，劈开面(剥离面)成为SOI层的表面，比较容易获得SOI膜厚较薄且均匀性也较高的SOI晶圆。以往，贴合SOI晶圆的基底晶圆是作为支承基板而用于支承SOI层的基板，但近年来，用沟槽等分离到埋入绝...
【技术保护点】
1.一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子并在晶圆内部形成离子注入层，直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后，通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离，从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其特征在于，作为所述接合晶圆和所述基底晶圆的至少一方而使用外延晶圆，并通过单晶圆旋转清洗来进行该外延晶圆的形成外延层前的清洗。
【技术特征摘要】
2017.03.27 JP 2017-0607571.一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子并在晶圆内部形成离子注入层，直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后，通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离，从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其特征在于，作为所述接合晶圆和...
【专利技术属性】
技术研发人员：石塚徹，田中纪通，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。