双面研磨方法及双面研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。由此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F‑ZDD

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双面研磨方法及双面研磨装置
本专利技术涉及一种双面研磨方法及双面研磨装置。
技术介绍
近年来，在硅晶圆等的半导体晶圆的平坦度需求中，对于作为半导体晶圆的外周部的形状的评价指标的F-ZDD(frontZ-HeightDoubleDifferentiation)的要求为逐渐提升。具体而言，要求有F-ZDD<0，即半导体晶圆的外周部的形状为垂下的形状。半导体晶圆的制造步骤中，一般而言，为进行半导体晶圆的双面研磨。于双面研磨中，以分别贴附于上下定盘的研磨垫将半导体晶圆夹入，使半导体晶圆滑动而同时研磨表面及里面的双面(例如参照专利文献1)。已知有于上下定盘贴附同种类、同厚度的研磨垫而进行双面研磨，在此情况下，能够将研磨垫的厚度增加，以使F-ZDD未满0。〔现有技术文献〕〔专利文献〕专利文献1：日本特开2014-223704号公报
技术实现思路
另一方面，亦同样希望将为半导体晶圆的平坦度的评价指标之一的GBIR(GlobalBackSurface-ReferencedIdealPlane/Range)抑制在低数值。也就是说，亦希望使GBIR为顾客的要求值以下。但是，如同前述，于双面研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.16 JP 2016-0271361.一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。2.如权利要求1所述的双面研磨方法，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.5≦A/B≦2.5的关系。3.如权利要求1或2所述的双面研磨方法，其中作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，使用邵氏A硬度为85以上95以下之物。4.如权利要求1至3中任一项所述的双面研...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中佑宜，天海史郎，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP