磊晶晶圆以及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种磊晶晶圆的制造方法，相较以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升，其于基板上形成n型磊晶层、p型磊晶层，其中，n型磊晶层及p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，n型磊晶层的形成具有形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一n型层的步骤，p型磊晶层的形成具有于第一n型层上形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一p型层的步骤以及于第一p型层的上方形成化合物半导体组成为固定且不含氮且较第一p型层的载子浓度为高的第二p型层的步骤，第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄。

Recrystalline wafer and its manufacturing method

The invention provides a manufacturing method of an epitaxy wafer. Compared with previous epitaxy wafers, the luminous brightness is enhanced. The n-type epitaxy layer and the p-type epitaxy layer are formed on the substrate. The n-type epitaxy layer and the p-type epitaxy layer are formed by a layer containing compound semiconductors selected from GaAsP and GaP, and the formation of the n-type epitaxy layer is composed of a compound semiconductor with a fixed and fixed concentration. The step of forming the first n-type layer of nitrogen, the step of forming the first p-type layer of compound semiconductor on the first n-type layer to form a fixed and fixed nitrogen-containing first p-type layer, and the step of forming the second p-type layer of compound semiconductor on the top of the first p-type layer to form a fixed and nitrogen-free carrier concentration higher than that of the first p-type layer. The thickness of the first n-type layer is thicker than that of the first p-type layer. The thickness of the layer is thin.

【技术实现步骤摘要】
磊晶晶圆以及其制造方法
本专利技术涉及一种磊晶晶圆以及其制造方法，具体而言，涉及发光二极管(以下称“LED”)用的半导体磊晶晶圆以及其制造方法。
技术介绍
化合物半导体大多作为光半导体组件材料使用。而且作为这种半导体材料，使用于单晶基板上经磊晶成长出所期望的半导体结晶层。这是因为以目前能够取得的材料作为基板而使用的结晶，缺陷多且纯度也低，很难直接作为发光组件使用。所以才会在基板上磊晶成长出用以得到所期望的发光波长的组成的层。另外，此磊晶成长层中主要使用三元混晶层。再者，磊晶成长中，通常使用气相成长或液相成长法。气相成长法是通过于石英制的反应器内配置石墨制或石英制的支架而将基板加以支承，然后流入原料气体并加热的方式进行磊晶成长。由于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有相当于可见光、红外线的波长的能隙，因此朝向发光组件的应用发展。其中特别以GaAsP、GaP广泛用于LED材料。此处举GaAs1-xPx为例进行说明，通过掺杂氮(N)而将GaAs1-xPx(0.45<x<1)作为捕捉传导电子的等电子陷阱的情况下，能够使作为LED的光输出提升10倍左右。因此，通常会对GaP基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磊晶晶圆的制造方法，透过磊晶成长，于基板上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层，于该n型磊晶层上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入形成p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，该n型磊晶层的形成具有形成第一n型层的步骤，该形成第一n型层的步骤为形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层，该p型磊晶层的形成具有形成第一p型层的步骤以及形成第二p型层的步骤，该形成第一p型层的步骤为于该第一n型层上形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层，该形成...

【技术特征摘要】
2017.06.19 JP 2017-1194771.一种磊晶晶圆的制造方法，透过磊晶成长，于基板上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层，于该n型磊晶层上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入形成p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，该n型磊晶层的形成具有形成第一n型层的步骤，该形成第一n型层的步骤为形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层，该p型磊晶层的形成具有形成第一p型层的步骤以及形成第二p型层的步骤，该形成第一p型层的步骤为于该第一n型层上形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层，该形成第二p型层的步骤为于该第一p型层的上方形成该化合物半导体的组成为固定且不含氮且较该第一p型层的载子浓度为高的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：筱原政幸，樋口晋，高桥雅宣，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP