【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及一种半导体器件的形成方法，特别是涉及一种减少在硅基板等半导体基板中注入离子后，实施结晶性恢复热处理时所残留的离子注入残留缺陷的方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，使用有将杂质原子离子化并加速注入硅基板等半导体基板中的离子注入法。为了形成源/漏区的扩散层，作为n型杂质，注入磷、砷、锑，作为p型杂质，注入硼、二氟化硼。若在硅单晶基板中注入离子，则晶格位置的的硅原子被弹出，生成间隙硅(以下，称作“I”)与作为其脱壳的空位(以下，称作“V”)，结晶性降低。当离子的注入量多时，晶体结构发生变化，形成无长程有序但具有短程有序的非晶层(以下，称作“无定形层”)。在上述离子注入后会进行热处理以恢复结晶性，但在热处理后会残留I凝聚而成的缺陷，有时会导致使器件特性变差的问题。不论基板结构如何均会形成离子注入残留缺陷，不仅在以往的平面型中会形成该缺陷，在用于精细先端器件的Fin结构中也会形成该缺陷。此外，特别是近年来工艺低温化，可能会无法充分地恢复结晶性而残留缺陷。现有技术文献<
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，其至少具有：/n在硅基板表面进行碳或含碳分子的离子注入A的工序、与/n进行掺杂剂的离子注入B的工序，/n并包含对进行所述离子注入A及所述离子注入B后的所述硅基板进行热处理B，减少所述硅基板的所述掺杂剂的离子注入残留缺陷的工序。/n
【技术特征摘要】
20190318 JP 2019-0496241.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，其至少具有：
在硅基板表面进行碳或含碳分子的离子注入A的工序、与
进行掺杂剂的离子注入B的工序，
并包含对进行所述离子注入A及所述离子注入B后的所述硅基板进行热处理B，减少所述硅基板的所述掺杂剂的离子注入残留缺陷的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在进行所述离子注入A的工序后，进一步包含进行热处理A，减少所述碳或含碳分子的离子注入残留缺陷的工序。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入A的剂量设为1×1011atoms/cm2以上且所述硅基板的一部分发生无定形化的临界剂量以下。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入A的剂量设为1×1011atoms/cm2以上且所述硅基板的一部分发生无定形化的临界剂量以下。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入B的剂量设为1×1011atoms/cm2以上且1×1016atoms/cm2以下。
6.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入B的剂量设为1×1011atoms/cm2以上且1×1016atoms/cm2以下。
7.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入B的剂量设为1×1011atoms/cm2以上且1×1016atoms/cm2以下。
8.根据权利要求4所述...
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