一种多晶硅的沉积方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅的沉积方法及其应用。一种多晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体载体沉积多晶硅膜，然后离子注入，再进行退火处理；其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。本发明专利技术可以在较低的温度下消除硅沉积时产生的缝隙或孔洞，从而减少后续工艺可能发生的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅的沉积方法及其应用
本专利技术涉及半导体制备领域，特别涉及一种多晶硅的沉积方法及其应用。
技术介绍
随着DRAM设备的微型化，其电容孔尺寸逐渐减小，所需的沟槽深宽比越大，这导致在沉积形成电容孔的多晶硅时容易形成孔洞或缝隙，若不处理这些孔洞(void)或缝隙(seam)会造成后续工艺进行时发生不良，例如电阻增加等。为解决以上问题，US7157327B2公开了一种处理方法：在沉积多晶硅后，在氢气气氛下进行退火处理，这样利用退火过程中硅原子的迁移消除缝隙或孔洞，然而该技术中的退火步骤需在极高的温度下进行，加大了工艺难度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多晶硅的沉积方法，该方法可以在较低的温度下消除硅沉积时产生的缝隙或孔洞，从而减少后续工艺可能发生的缺陷。为了实现以上目的，本专利技术提供了以下技术方案：一种多晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体载体沉积多晶硅膜，然后离子注入，再进行退火处理；其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。与现有技术相比，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅的沉积方法，其特征在于，包括下列步骤：/n在半导体载体沉积多晶硅，然后离子注入，再进行退火处理；/n其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅的沉积方法，其特征在于，包括下列步骤：
在半导体载体沉积多晶硅，然后离子注入，再进行退火处理；
其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。


2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述半导体载体为蚀刻有接触部(contact)的半导体结构。


3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述注入离子的工艺条件为：注入能量28～32keV，注入剂量0.8～1.2E16/cm2。


4.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述退火处理在真空气氛下或氢气气氛下进行。


5.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，在真空气氛下进行所述退火处理的工艺条件为：温度500～900℃，时间≥10min。


6.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，在氢气气氛下进行所述退火处理的工艺条件为：温度500～900℃，压力0.1～200torr，时间≥10min。


7.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述金属离子为Ge离子。


8.根据权利要求1-7任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述离子注入之后和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相遇，熊文娟，蒋浩杰，李亭亭，罗军，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11