直接在非晶硅硬掩模上的构图制造技术

本文中的本发明专利技术包括通过注入非极性疏水性元素来增强非晶硅硬掩模的表面，从而导致非晶硅表面的疏水性增加和抗蚀剂粘附性增加。根据本发明专利技术，注入疏水性元素可以包括通过低能量注入和等离子体处理将疏水性元素引入到非晶硅的表面中。注入的疏水性元素可以是硼、氙、氟、磷、其组合或其他疏水性元素。根据本发明专利技术，用10‑15％的疏水元素增强了非晶硅的表面，但是在其他实施方案中，可以根据需要调节该组成。然而，在任何情况下，本文的发明专利技术包括保持非晶硅硬掩模的整体蚀刻选择性。

Composition directly on amorphous silicon hard mask

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】直接在非晶硅硬掩模上的构图
技术介绍
本专利技术总体上涉及半导体器件的制造，并且更具体地涉及直接在非晶硅硬掩模上的构图。在半导体器件的制造中，由于非晶硅(a-Si)硬掩模与随后的抗蚀剂层之间的不良粘附性，难以以高分辨率实现直接在非晶硅(a-Si)硬掩模上构图。在典型的实践中，高分辨率下的这种粘附性需要沉积中间层以促进粘附性，这被称为有机层。然而，合并诸如有机层的附加平面层不仅导致诸如成本和时间之类的附加资源消耗，而且由于稍后需要移除有机层而增加了集成电路的复杂性。
技术实现思路
根据本专利技术的一个示例性实施方式，提供了一种方法。该方法包括通过注入非极性疏水性元素来增强非晶硅硬掩模的表面，从而导致非晶硅表面的疏水性增加和抗蚀剂粘附性增加。根据该方法，注入疏水性元素可以包括通过低能量注入和等离子体处理将疏水性元素引入到非晶硅的表面中。此外，在该方法中，注入的疏水性元素是硼，但是在其他实施例中，疏水性元素包括氙、氟、磷和其他疏水性元素。根据该方法，用10-15％的疏水性元素增强了非晶硅的表面，但是在其他实施例中，可以根据需要调节该组成。然而，在任何情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在半导体器件中的非晶硅硬掩模上构图抗蚀剂层的方法，该方法包括：/n在下面的叠层上形成非晶硅硬掩模层；/n向所述非晶硅硬掩模层的表面注入一种或多种疏水性元素；以及/n直接在所述非晶硅硬掩模层的表面上形成抗蚀剂层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171120 US 15/817,4071.一种用于在半导体器件中的非晶硅硬掩模上构图抗蚀剂层的方法，该方法包括：
在下面的叠层上形成非晶硅硬掩模层；
向所述非晶硅硬掩模层的表面注入一种或多种疏水性元素；以及
直接在所述非晶硅硬掩模层的表面上形成抗蚀剂层。


2.如权利要求1所述的方法，其中，通过低能量注入来执行向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素。


3.如权利要求1所述的方法，其中，通过等离子体处理来执行向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素。


4.如权利要求1所述的方法，其中，向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素，将所述非晶硅硬掩模层的表面的组成改变为包括所述一种或多种疏水性元素的10-15％。


5.如权利要求1所述的方法，其中向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素之前和之后，所述非晶硅硬掩模层保持相同的整体蚀刻选择性。


6.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括硼。


7.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括氙。


8.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括氟。


9.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括磷。


10.如权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：EA德席尔瓦，A阿塞奥德拉佩纳，N费力克斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US