离子注入方法及离子注入系统技术方案

本发明专利技术提供一种离子注入方法及离子注入系统，离子注入方法包括如下步骤：提供晶圆，晶圆内形成有若干个沟道孔，且位于晶圆中心区域的沟通孔与晶圆的表面相垂直，位于晶圆边缘区域的沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度；使晶圆沿第一方向进行弧形往返运动，并沿第二方向向晶圆内进行离子注入，第一方向与第二方向相垂直。本发明专利技术的离子注入方法在沿第二方向进行离子注入过程中使晶圆沿垂直第二方向的第一方向做弧形往返运动，可以确保离子能够注入至各沟道孔的底部，使得各沟道孔底部的离子注入量相同，消除了晶圆不同区域内沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜程度不同而对离子注入效果造成的影响，可以确保器件的电性及良率，使得整个晶圆具有更佳均匀的电性。

Ion implantation method and system

【技术实现步骤摘要】
离子注入方法及离子注入系统
本专利技术属于集成电路
，特别是涉及一种离子注入方法及离子注入系统。
技术介绍
在3DNAND生产工艺中，受Etch(刻蚀)工艺影响，晶圆中心(WaferCenter)和晶圆边缘(WaferEdge)的沟道孔(ChannelHole，CH)相较于所述晶圆表面的倾斜情况(TitlingPerformance)不一样，譬如，位于所述晶圆中心的沟道孔与所述晶圆表面相垂直，而位于所述晶圆边缘的沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜一定角度，且越靠近所述晶圆的边缘，所述沟道孔的倾斜越严重。现有的离子注入工艺一般为将离子束以垂直于晶圆表面的方向进行离子注入，在离子注入的同时，所述晶圆沿垂直于离子注入的方向往返运动。在采用现有的离子注入工艺对所述沟道孔进行离子注入时，对于与所述晶圆表面相垂直的沟道孔而言，离子可以顺利到达其底部；而对于相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜一定角度的沟道孔而言，部分离子会打到这种沟道孔的侧壁，只有部分离子能达到这种沟道孔的底部，使得所述晶圆不同区域的沟道孔的底部的离子注入量差异很大，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供晶圆，所述晶圆内形成有若干个沟道孔，且位于晶圆中心区域的所述沟通孔与所述晶圆的表面相垂直，位于晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度；及/n使所述晶圆沿第一方向进行弧形往返运动并沿第二方向向所述晶圆内进行离子注入，所述第一方向与所述第二方向相垂直。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供晶圆，所述晶圆内形成有若干个沟道孔，且位于晶圆中心区域的所述沟通孔与所述晶圆的表面相垂直，位于晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度；及
使所述晶圆沿第一方向进行弧形往返运动并沿第二方向向所述晶圆内进行离子注入，所述第一方向与所述第二方向相垂直。


2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：所述晶圆沿所述第一方向进行弧形往返运动的同时自旋运动。


3.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：所述第一方向包括竖直方向，所述第二方向包括水平方向。


4.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，使用离子注入装置向所述晶圆内进行离子注入；离子注入的同时，所述离子注入装置沿垂直于离子注入的方向进行往返扫描，往返扫描的宽度大于等于所述晶圆的直径。


5.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，将所述晶圆置于晶圆吸盘上，所述晶圆吸盘在驱动装置的驱动下带动所述晶圆沿第一方向进行弧形往返运动。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述晶圆沿所述第一方向进行弧形往返运动的弧形角度与位于所述晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜的角度相等。


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【专利技术属性】
技术研发人员：艾义明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42