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本发明涉及一种多晶硅的沉积方法及其应用。一种多晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体载体沉积多晶硅膜，然后离子注入，再进行退火处理；其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。本发明可以在较低的温度下消除硅沉积时产生的缝隙或孔洞，从而减...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。